IPW60R099CPFKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 6,250 € |
| 5+ | 5,860 € |
| 10+ | 5,460 € |
| 50+ | 4,190 € |
| 100+ | 3,850 € |
| 250+ | 3,840 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IPW60R099CP handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-CoolMOS™-Leistungs-MOSFET für hart und sanft schaltende Topologien, CCM-PFC-Schaltungen sowie PWM für ATX und LCD-TV. Der CoolMOS™-MOSFET zeichnet sich durch eine deutliche Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten aus, wodurch eine hohe Leistungsdichte und ein hoher Wirkungsgrad für überragende Energieumwandlungssysteme gewährleistet werden. Die neue Generation moderner Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs ermöglicht kompaktere und leichtere AC/DC-Netzteile mit einem höheren Wirkungsgrad als je zuvor.
- Niedrigste Gütezahl (Ron x Qg)
- Ultraniedrige Gate-Ladung
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- Hohe Strombelastbarkeit
- Erhebliche Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten
- Hohe Leistungsdichte und hoher Wirkungsgrad für überragende Energieumwandlungssysteme
- Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis dieser Klasse
Anwendungen
Alternative Energien, Computer & Computerperipheriegeräte, Kommunikation & Netzwerke, Unterhaltungselektronik, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
31A
TO-247
10V
255W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
0.099ohm
Durchsteckmontage
3V
3Pin(s)
-
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPW60R099CPFKSA1
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
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RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat