Seite drucken
IPB60R125CPATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB60R125CPATMA1
Bestellnummer1664016
ProduktpaletteCoolMOS Series
Auch bekannt alsIPB60R125CP, SP000297368
Technisches Datenblatt
3.544 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,990 € |
| 10+ | 1,940 € |
| 100+ | 1,880 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,790 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,99 € (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB60R125CPATMA1
Bestellnummer1664016
ProduktpaletteCoolMOS Series
Auch bekannt alsIPB60R125CP, SP000297368
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.125ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung208W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IPB60R125CPATMA1 is a IPB60R125CP CoolMOS™ power transistor this CoolMOS™ CP is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Lowest figure-of-merit RONxQg
- Ultra-low gate charge
- Extreme dv/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 25A continuous drain current at TC = 25°C
- 82A pulsed drain current at TC = 25°C
- 208W power dissipation at TC = 25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Gate threshold voltage(V GS(th) ) of 3.5V
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
25A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
208W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143
Produktnachverfolgung