Low

BSC120N03MSGATMA1 - 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 39 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

INFINEON BSC120N03MSGATMA1

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
BSC120N03MSGATMA1
Bestellnummer:
1775468
Auch bekannt als:
BSC120N03MS G , SP000311516
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
8Pin(s)
:
PG-TSDSON
:
0.01ohm
:
1V
:
28W
:
39A
:
150°C
:
30V
:
-
:
n-Kanal
:
10V
:
-
:
MSL 1 - unbegrenzt
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Produktbeschreibung

The BSC120N03MS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
  • Easy to design in
  • Increased battery lifetime
  • Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
  • Saving space
  • Reducing power losses
  • Fast switching MOSFET for SMPS
  • Optimized for 5V driver application
  • Low FOMSW for high frequency SMPS
  • 100% Avalanche tested
  • Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
  • Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Superior thermal resistance
  • Halogen-free, Green device

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung, Computer & Computerperipheriegeräte, Tragbare Geräte, Unterhaltungselektronik

Auch bekannt als

BSC120N03MS G , SP000311516