Low

HYNIX SEMICONDUCTOR  H5MS5122EFR-J3M  SDRAM MOBILER DDR 512MB (X32) 90FBGA

HYNIX SEMICONDUCTOR H5MS5122EFR-J3M
Herstellerteilenummer::
H5MS5122EFR-J3M
Bestellnummer:
2147276
Technisches Datenblatt:
Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Speicherkonfiguration DRAM:
16M x 32 bit
Zugriffszeit:
-
Seitengröße:
-
Anzahl der Pins:
90Pin(s)
Bauform:
FBGA
Betriebstemperatur, min.:
-30°C
Betriebstemperatur, max.:
85°C
IC-Schnittstelle:
LVCMOS
Verpackung:
Stückweise
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 3 - 168 Stunden
SVHC:
No SVHC (20-Jun-2016)

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften.

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
South Korea

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85423261
Gewicht (kg):
.000003

Ähnliche Produkte

Sie können ganz einfach nach Produkten mit gleicher oder ähnlicher Funktionalität suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links hier unterhalb aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über diese bestimmte Eigenschaft verfügen.