Low

HYNIX SEMICONDUCTOR  H5MS5122EFR-J3M  SDRAM MOBILER DDR 512MB (X32) 90FBGA

HYNIX SEMICONDUCTOR H5MS5122EFR-J3M
Technical Data Sheet (100.17KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

 

Produktspezifikationen

Speicherkonfiguration DRAM:
16M x 32 bit
Zugriffszeit:
-
Seitengröße:
-
Anzahl der Pins:
90Pin(s)
Bauform:
FBGA
Betriebstemperatur, min.:
-30°C
Betriebstemperatur, max.:
85°C
IC-Schnittstelle:
LVCMOS
Verpackung:
Stückweise
Speicher:
DRAM - synchron
MSL:
MSL 3 - 168 Stunden
SVHC:
To Be Advised

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 3 - 168 Stunden
Herkunftsland:
South Korea

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85423261
Gewicht (kg):
.000003

Ähnliche Produkte

Sie können nach Produkten mit einer ähnlichen Funktionalität wie dieser suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über dieses bestimmte Attribut verfügen.