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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.6OHM, 4.5A, TO-252-3

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N20TM
Technical Data Sheet (683.70KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
N Channel
Dauer-Drainstrom Id:
4.5A
Drain-Source-Spannung Vds:
200V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.6ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
5V
Verlustleistung Pd:
40W
Bauform:
TO-252
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - Unlimited
Herkunftsland:
Malaysia

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Produktnachverfolgung
RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000291

Produktvergleich

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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