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DIODES INC.  ZUMT718  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 210 MHz, 385 mW, 1 A, 490 hFE

DIODES INC. ZUMT718
Technical Data Sheet (52.46KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
20V
Übergangsfrequenz ft:
210MHz
Verlustleistung Pd:
385mW
DC-Kollektorstrom:
1A
DC-Stromverstärkung hFE:
490hFE
Bauform:
SOT-323
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Great Britain

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000005

Alternativen

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60 V, 185 MHz, 250 mW, -1 A, 350 hFE

NXP

Gurtabschnitte
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