Infineon

InfineonCoolMOS™ C7 Leistungs-MOSFETs

Die neuen Leistungs-MOSFETs der Serie CoolMOS™ C7 von Infineon bieten den weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) pro Einheit sowie hohe Wirkungsgradsteigerungen über den gesamten Lastenbereich dank des geringen Schaltverlustes.

  • 650 V Durchschlagspannung
  • Niedrigster RDS(on)/pro Einheit seiner Klasse
  • Speichert reduzierte Energie in Ausgangskapazität (Eoss)
  • Niedrigere Gateladung Qg

Produktbeschreibung

Die neuen Leistungs-MOSFETs der Serie CoolMOS™ C7 von Infineon bieten den weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) pro Einheit sowie hohe Wirkungsgradsteigerungen über den gesamten Lastenbereich dank des geringen Schaltverlustes.

Die Serie C7 eignet sich ideal für hartschaltende Anwendungen wie Netzfilter (CCM PFC), Zweitakt-Durchflusswandler (TTF) und Solar-Booster in Einsatzbereichen wie z. B. Solar-, Server- und Telekommunikationsgeräten sowie unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS). Mit einer Durchschlagspannung von 650 V ist sie für PFC-Stufen sowohl mit Solar- als auch mit Schaltnetzteilen (SMPS), die ein zusätzliches Maß an Sicherheit erfordern, ideal geeignet.

Diese neue Produktreihe bietet den weltweit niedrigsten RDS(on) mit 19 mΩ bei einem TO-247 sowie 45 mΩ bei einem TO-220 und D 2PAK. Die hohe Schaltleistung ermöglicht nun Schaltfrequenzen von über 100 kHz und erreicht in Server-PFC-Stufen eine Effizienz ähnlich der von Titan. Dadurch wird auch der Platzbedarf für die passiven Bauelemente reduziert und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht.

Anwendungsbereiche

PC-, Solar-, Server- und Telekommunikationsgeräte.

Hartschaltende Anwendungen

Netzfilter (PFC), Solar-Booster.

Elektrische Eigenschaften

Niedrigster Leistungsverlust pro Einheit, niedriger Schaltverlust, optimierter Wirkungsgrad bei leichten Lasten und steigende Leistungsdichte.

Produktserien
Produkte vergleichen
  Bestellnummer Hersteller-Teilenr. Hersteller / Beschreibung
Verfüg Preis
Menge
2420492
IPD65R190C7

IPD65R190C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 13A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-25

2.508  

Preiseinheit Stück

1+ 3,23 € 25+ 2,81 € 100+ 2,23 € 250+ 2,04 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 19.09.16 Tage
2420495
IPD65R225C7

IPD65R225C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 11A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:11A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.199ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:63W; Bauform:TO-25

1.088  

Preiseinheit Stück

1+ 2,78 € 25+ 2,46 € 100+ 2,18 € 250+ 1,98 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 17.10.16 Tage
2420496
IPD60R600P6

IPD60R600P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7.3A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7.3A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.54ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:63W; Bauform:TO-252

1.032  

Preiseinheit Stück

1+ 1,12 € 25+ 0,94 € 100+ 0,807 € 250+ 0,789 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage
2420503
IPA60R190P6

IPA60R190P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:34W; Bauform:T

563  

Preiseinheit Stück

1+ 2,81 € 25+ 2,31 € 100+ 2,04 € 250+ 1,87 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage
2420502
IPA60R280P6

IPA60R280P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:32W; Bauform:T

533  

Preiseinheit Stück

1+ 2,06 € 25+ 1,82 € 100+ 1,61 € 250+ 1,57 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 19.09.16 Tage
2420490
IPW65R019C7

IPW65R019C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 75A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.017ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:446W; Bauform:TO-2

508  

Preiseinheit Stück

1+ 17,89 € 25+ 17,59 € 100+ 17,29 € 250+ 16,99 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 17.10.16 Tage
2420498
IPP60R380P6

IPP60R380P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:83W; Bauform:TO-

473  

Preiseinheit Stück

1+ 1,76 € 25+ 1,52 € 100+ 1,22 € 250+ 1,10 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 25.07.16 Tage
2420507
IPP65R125C7

IPP65R125C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 18A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:18A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.11ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:101W; Bauform:TO-22

469  

Preiseinheit Stück

1+ 5,73 € 25+ 4,94 € 100+ 3,98 € 250+ 3,58 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 17.10.16 Tage
2420494
IPP65R190C7

IPP65R190C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 13A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-22

351  

Preiseinheit Stück

1+ 3,32 € 25+ 2,89 € 100+ 2,28 € 250+ 2,09 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 19.09.16 Tage
2420509
IPA65R190C7

IPA65R190C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 8A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:8A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:30W; Bauform:TO-22

290  

Preiseinheit Stück

1+ 3,32 € 25+ 2,89 € 100+ 2,28 € 250+ 2,09 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 19.09.16 Tage
2420501
IPA60R380P6

IPA60R380P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:31W; Bauform:T

274  

Preiseinheit Stück

1+ 1,65 € 25+ 1,48 € 100+ 1,33 € 250+ 1,21 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage
2420506
IPW65R095C7

IPW65R095C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.084ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:128W; Bauform:TO-2

237  

Preiseinheit Stück

1+ 8,89 € 25+ 7,71 € 100+ 6,69 € 250+ 6,51 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 17.10.16 Tage
2420511
IPW65R190C7

IPW65R190C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.404ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-24

210  

Preiseinheit Stück

1+ 3,80 € 25+ 3,35 € 100+ 3,09 € 250+ 3,00 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 17.10.16 Tage
2420504
IPW60R280P6

IPW60R280P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:104W; Bauform:TO

209  

Preiseinheit Stück

1+ 2,53 € 25+ 2,27 € 100+ 1,85 € 250+ 1,70 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage
2420500
IPP60R190P6

IPP60R190P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:151W; Bauform:TO

174  

Preiseinheit Stück

1+ 2,73 € 25+ 2,31 € 100+ 1,98 € 250+ 1,87 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage
2420493
IPW65R045C7

IPW65R045C7

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 46A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:46A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.04ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:227W; Bauform:TO-24

157  

Preiseinheit Stück

1+ 15,51 € 25+ 13,66 € 100+ 11,06 € 250+ 10,04 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 19.09.16 Tage
2420499
IPP60R280P6

IPP60R280P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:104W; Bauform:TO

52  

Preiseinheit Stück

1+ 2,08 € 25+ 1,81 € 100+ 1,45 € 250+ 1,32 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wiederbeschaffungszeit 25.07.16 Tage
2420497
IPD60R380P6

IPD60R380P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:83W; Bauform:TO-

13  

Preiseinheit Stück

1+ 1,58 € 25+ 1,40 € 100+ 1,14 € 250+ 1,06 € Mehr…

Kaufen

Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

Bestellannahmeschluss

2420505
IPW60R190P6

IPW60R190P6

INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:151W; Bauform:TO

Lieferung wird erwartet

Preiseinheit Stück

1+ 3,17 € 25+ 2,80 € 100+ 2,30 € 250+ 2,07 € Mehr…

Kaufen
Wiederbeschaffungszeit 22.08.16 Tage Bitte benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder verfügbar ist
Produkte vergleichen