Infineon

InfineonCoolMOS™ C7 Leistungs-MOSFETs

Die neuen Leistungs-MOSFETs der Serie CoolMOS™ C7 von Infineon bieten den weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) pro Einheit sowie hohe Wirkungsgradsteigerungen über den gesamten Lastenbereich dank des geringen Schaltverlustes.

  • 650 V Durchschlagspannung
  • Niedrigster RDS(on)/pro Einheit seiner Klasse
  • Speichert reduzierte Energie in Ausgangskapazität (Eoss)
  • Niedrigere Gateladung Qg

Produktbeschreibung

Die neuen Leistungs-MOSFETs der Serie CoolMOS™ C7 von Infineon bieten den weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) pro Einheit sowie hohe Wirkungsgradsteigerungen über den gesamten Lastenbereich dank des geringen Schaltverlustes.

Die Serie C7 eignet sich ideal für hartschaltende Anwendungen wie Netzfilter (CCM PFC), Zweitakt-Durchflusswandler (TTF) und Solar-Booster in Einsatzbereichen wie z. B. Solar-, Server- und Telekommunikationsgeräten sowie unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS). Mit einer Durchschlagspannung von 650 V ist sie für PFC-Stufen sowohl mit Solar- als auch mit Schaltnetzteilen (SMPS), die ein zusätzliches Maß an Sicherheit erfordern, ideal geeignet.

Diese neue Produktreihe bietet den weltweit niedrigsten RDS(on) mit 19 mΩ bei einem TO-247 sowie 45 mΩ bei einem TO-220 und D 2PAK. Die hohe Schaltleistung ermöglicht nun Schaltfrequenzen von über 100 kHz und erreicht in Server-PFC-Stufen eine Effizienz ähnlich der von Titan. Dadurch wird auch der Platzbedarf für die passiven Bauelemente reduziert und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht.

Anwendungsbereiche

PC-, Solar-, Server- und Telekommunikationsgeräte.

Hartschaltende Anwendungen

Netzfilter (PFC), Solar-Booster.

Elektrische Eigenschaften

Niedrigster Leistungsverlust pro Einheit, niedriger Schaltverlust, optimierter Wirkungsgrad bei leichten Lasten und steigende Leistungsdichte.

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 13A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-25

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 11A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:11A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.199ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:63W; Bauform:TO-25

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7.3A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7.3A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.54ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:63W; Bauform:TO-252

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:34W; Bauform:T

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:32W; Bauform:T

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 75A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.017ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:446W; Bauform:TO-2

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:83W; Bauform:TO-

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 18A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:18A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.11ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:101W; Bauform:TO-22

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 13A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-22

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 8A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:8A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.168ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:30W; Bauform:TO-22

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-220FP-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:31W; Bauform:T

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.084ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:128W; Bauform:TO-2

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:104W; Bauform:TO

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.404ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:72W; Bauform:TO-24

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:151W; Bauform:TO

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 46A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:46A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.04ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:227W; Bauform:TO-24

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.8A, TO-220-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:13.8A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.252ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:104W; Bauform:TO

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INFINEON

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 10.6A, TO-252-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:10.6A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.342ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:83W; Bauform:TO-

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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 600V, 20.2A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:20.2A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.171ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:151W; Bauform:TO

Lieferung wird erwartet

Preiseinheit Stück

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