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Coilcraft Leistungsinduktivitäten MSD1260T

Die geschirmten, gekoppelten Leistungsinduktivitäten aus der Baureihe Coilcraft MSD1260T wurden speziell für Hochtemperaturanwendungen (bis zu 125 °C Umgebungstemperatur) in rauen Umgebungen wie z. B. im Automotivebereich entwickelt.

  • AEC-Q200, Stufe 1 (-40 °C – +125 °C)
  • Hervorragender Kupplungskoeffizient: K > 0,94
  • Auch als Gleichtaktdrossel geeignet
  • Isolierung zwischen Wicklungen: 500 Veff

Produktbeschreibung

Die geschirmten, gekoppelten Leistungsinduktivitäten aus der Baureihe Coilcraft MSD1260T wurden speziell für Hochtemperaturanwendungen (bis zu 125 °C Umgebungstemperatur) entwickelt. Sie erfüllen die Qualitätsanforderungen von AEC-Q200 für den Einsatz in rauen Umgebungen im Bereich Automotive.

Die Teile zeichnen sich aus durch hohe Induktivität (bis zu 1.000 μH), niedrigen Gleichstromwiderstand (hoher Wirkungsgrad) und hervorragende Strombelastbarkeit. Der eng gefasste Kupplungskoeffizient (k ≥ 0,94) und 500 Veff Isolierung zwischen den Wicklungen machen die Teile ideal für verschiedene Schaltkreisarten, z. B. in Sperrwandlern, Abwärtsreglern mit mehreren Ausgabequellen, SEPIC und Zeta. Die Teile können auch als zwei einzelne Induktivitäten (in Reihe oder parallel geschaltet) oder als Gleichtaktdrossel eingesetzt werden.

RoHS-Konformität

260 °C. Anschlussstecker in Zinn matt auf Nickel auf Phosphorbronze.

Typische Anwendungen

Sperrwandler, Abwärtsregler mit mehreren Ausgabequellen, SEPIC und Zeta.

Strombelastbarkeit

Sättigungsstrom über 14 Ampere. Niedriger Gleichstromwiderstand für hohen Wirkungsgrad.

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2288061
MSD1260T-472MLB

MSD1260T-472MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 4.7UH,4.47A, 0%,38MHZ

LEIST.INDUKT 4.7UH,4.47A, 0%,38MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.018ohm; Induktivität - Parallel:4.7µH; RMS-Strom - Parallel:3.16A; Sättigungsstrom - Parallel:9A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

13

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2288067
MSD1260T-153MLB

MSD1260T-153MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 15UH, 2.92A, 0%,18MHZ

LEIST.INDUKT 15UH, 2.92A, 0%,18MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.0425ohm; Induktivität - Parallel:15µH; RMS-Strom - Parallel:2.06A; Sättigungsstrom - Parallel:4.6A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3m

17

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2288066
MSD1260T-123MLB

MSD1260T-123MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 12UH, 3.12A, 0%,20MHZ

LEIST.INDUKT 12UH, 3.12A, 0%,20MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.037ohm; Induktivität - Parallel:12µH; RMS-Strom - Parallel:2.21A; Sättigungsstrom - Parallel:5.3A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

12

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2288058
MSD1260T-332MLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 3.3UH, 6.1A, 0%,52MHZ

LEIST.INDUKT 3.3UH, 6.1A, 0%,52MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.01ohm; Induktivität - Parallel:3.3µH; RMS-Strom - Parallel:3.6A; Sättigungsstrom - Parallel:11.5A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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MSD1260T-184KLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 180UH,1.16A,10%,6.1MHZ

LEIST.INDUKT 180UH,1.16A,10%,6.1MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.268ohm; Induktivität - Parallel:180µH; RMS-Strom - Parallel:820mA; Sättigungsstrom - Parallel:1.4A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3

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MSD1260T-562MLD

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LEIST.INDUKT 5.6UH,4.24A, 0%,30MHZ

LEIST.INDUKT 5.6UH,4.24A, 0%,30MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.02ohm; Induktivität - Parallel:5.6µH; RMS-Strom - Parallel:3A; Sättigungsstrom - Parallel:8A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm x 12

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2288076
MSD1260T-683MLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 68UH, 1.83A, 0%,10MHZ

LEIST.INDUKT 68UH, 1.83A, 0%,10MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.108ohm; Induktivität - Parallel:68µH; RMS-Strom - Parallel:1.29A; Sättigungsstrom - Parallel:2.3A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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2288057
MSD1260T-105KLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT1000UH 0.49A 10% 2.4MHZ

LEIST.INDUKT1000UH 0.49A 10% 2.4MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:1.53ohm; Induktivität - Parallel:1mH; RMS-Strom - Parallel:340mA; Sättigungsstrom - Parallel:590mA; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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MSD1260T-682MLB

MSD1260T-682MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 6.8UH,3.88A, 0%,27MHZ

LEIST.INDUKT 6.8UH,3.88A, 0%,27MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.024ohm; Induktivität - Parallel:6.8µH; RMS-Strom - Parallel:2.75A; Sättigungsstrom - Parallel:7A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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MSD1260T-334KLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 330UH, 0.81A,10%,4MHZ

LEIST.INDUKT 330UH, 0.81A,10%,4MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.545ohm; Induktivität - Parallel:330µH; RMS-Strom - Parallel:570mA; Sättigungsstrom - Parallel:1A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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2288065
MSD1260T-103MLB

MSD1260T-103MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 10UH, 3.46A, 0%,22MHZ

LEIST.INDUKT 10UH, 3.46A, 0%,22MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.03ohm; Induktivität - Parallel:10µH; RMS-Strom - Parallel:2.45A; Sättigungsstrom - Parallel:5.4A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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MSD1260T-104MLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 100UH,1.5A, 0%,7.8MHZ

LEIST.INDUKT 100UH,1.5A, 0%,7.8MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.161ohm; Induktivität - Parallel:100µH; RMS-Strom - Parallel:1.06A; Sättigungsstrom - Parallel:1.9A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3m

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MSD1260T-183MLB

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COILCRAFT

LEIST.INDUKT 18UH, 2.73A, 0%,16MHZ

LEIST.INDUKT 18UH, 2.73A, 0%,16MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.0485ohm; Induktivität - Parallel:18µH; RMS-Strom - Parallel:1.93A; Sättigungsstrom - Parallel:4.5A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3m

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2288069
MSD1260T-223MLB

MSD1260T-223MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 22UH, 2.49A, 0%,15MHZ

LEIST.INDUKT 22UH, 2.49A, 0%,15MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.058ohm; Induktivität - Parallel:22µH; RMS-Strom - Parallel:1.76A; Sättigungsstrom - Parallel:4A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm x

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2288070
MSD1260T-273MLB

MSD1260T-273MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 27UH, 2.41A, 0%,13MHZ

LEIST.INDUKT 27UH, 2.41A, 0%,13MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.062ohm; Induktivität - Parallel:27µH; RMS-Strom - Parallel:1.7A; Sättigungsstrom - Parallel:3.6A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm

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2288050
MSD1260T-274KLB

MSD1260T-274KLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 270UH,0.95A,10%,4.3MHZ

LEIST.INDUKT 270UH,0.95A,10%,4.3MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.403ohm; Induktivität - Parallel:270µH; RMS-Strom - Parallel:670mA; Sättigungsstrom - Parallel:1.1A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3

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2288071
MSD1260T-333MLB

MSD1260T-333MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 33UH, .32A, 0%,12.4MHZ

LEIST.INDUKT 33UH, .32A, 0%,12.4MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.067ohm; Induktivität - Parallel:33µH; RMS-Strom - Parallel:1.64A; Sättigungsstrom - Parallel:3.3A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3m

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2288073
MSD1260T-393MLB

MSD1260T-393MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 39UH, 2.25A, 0%,12MHZ

LEIST.INDUKT 39UH, 2.25A, 0%,12MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.071ohm; Induktivität - Parallel:39µH; RMS-Strom - Parallel:1.59A; Sättigungsstrom - Parallel:3A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3mm x

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2288074
MSD1260T-473MLB

MSD1260T-473MLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 47UH, .03A, 0%,11.6MHZ

LEIST.INDUKT 47UH, .03A, 0%,11.6MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:0.087ohm; Induktivität - Parallel:47µH; RMS-Strom - Parallel:1.44A; Sättigungsstrom - Parallel:2.7A; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.3m

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2288056
MSD1260T-824KLB

MSD1260T-824KLB

COILCRAFT

LEIST.INDUKT 820UH,0.52A,10%,2.5MHZ

LEIST.INDUKT 820UH,0.52A,10%,2.5MHZ; Produktpalette:Baureihe AEC-Q200 MSD1260T; DC-Widerstand, max. - Parallel:1.325ohm; Induktivität - Parallel:820µH; RMS-Strom - Parallel:370mA; Sättigungsstrom - Parallel:640mA; Gehäuse der gekoppelten Induktivität:12.

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