Bipolare Schichttransistor-Arrays (BJT)

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ULN2803A
ULN2803A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

1094428

STMICROELECTRONICS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
Verlustleistung Pd 2.25W

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STMICROELECTRONICS 

Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Verlustleistung Pd 2.25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 18Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette Darlington array
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    21.955

    1+ 0,435 € Preiseinheit: 10+ 0,392 € Preiseinheit: 100+ 0,378 € Preiseinheit: 250+ 0,367 € Preiseinheit: 500+ 0,366 € Preiseinheit: 1000+ 0,362 € Preiseinheit: 4000+ 0,355 € Preiseinheit: 10000+ 0,348 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN 50V 2.25W 500mA 1000hFE DIP 18Pin(s) 85°C Darlington array -
    ULN2003A
    ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    1094421

    STMICROELECTRONICS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor DIP
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    Produktpalette Darlington arrays
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    1+ 0,547 € Preiseinheit: 10+ 0,169 € Preiseinheit: 100+ 0,159 € Preiseinheit: 250+ 0,157 € Preiseinheit: 500+ 0,154 € Preiseinheit: 2000+ 0,152 € Preiseinheit: 7000+ 0,149 € Preiseinheit: 20000+ 0,144 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN 50V 2.25W 500mA 1000hFE DIP 16Pin(s) 85°C Darlington arrays -
    ULN2003AD
    ULN2003AD - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

    1651927

    TEXAS INSTRUMENTS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 25W

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 600hFE
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    12.735

    1+ 0,534 € Preiseinheit: 25+ 0,49 € Preiseinheit: 50+ 0,467 € Preiseinheit: 100+ 0,303 € Preiseinheit: 500+ 0,264 € Preiseinheit: 900+ 0,224 € Preiseinheit: 3000+ 0,208 € Preiseinheit: 9000+ 0,206 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN 50V 25W 500mA 600hFE SOIC 16Pin(s) 70°C - -
    SBC846BPDW1T1G
    SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2724491

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    10.678

    1+ 0,431 € Preiseinheit: 10+ 0,317 € Preiseinheit: 100+ 0,165 € Preiseinheit: 250+ 0,164 € Preiseinheit: 500+ 0,109 € Preiseinheit: 1000+ 0,0712 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,431 € 10+ 0,317 € 100+ 0,165 € 250+ 0,164 € 500+ 0,109 € 1000+ 0,0712 € Weitere Preise …

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    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    BC847CDXV6T1G
    BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563

    2533310

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 420hFE
    Bauform - Transistor SOT-563
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    10.128

    1+ 0,432 € Preiseinheit: 10+ 0,27 € Preiseinheit: 100+ 0,109 € Preiseinheit: 250+ 0,103 € Preiseinheit: 500+ 0,098 € Preiseinheit: 1000+ 0,059 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,432 € 10+ 0,27 € 100+ 0,109 € 250+ 0,103 € 500+ 0,098 € 1000+ 0,059 € Weitere Preise …

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    Zweifach npn 45V 500mW 100mA 420hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    MBT6429DW1T1G
    MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88

    2724489

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 150mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 150mW
    DC-Kollektorstrom 200mA
    DC-Stromverstärkung hFE 500hFE
    Bauform - Transistor SC-88
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    8.987

    1+ 0,266 € Preiseinheit: 10+ 0,218 € Preiseinheit: 100+ 0,111 € Preiseinheit: 250+ 0,106 € Preiseinheit: 500+ 0,0711 € Preiseinheit: 1000+ 0,0432 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,266 € 10+ 0,218 € 100+ 0,111 € 250+ 0,106 € 500+ 0,0711 € 1000+ 0,0432 € Weitere Preise …

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    Zweifach npn 45V 150mW 200mA 500hFE SC-88 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    HN1B01FDW1T1G
    HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 380 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-74

    2724488

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 380 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-74

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 380 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-74

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 200mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SC-74
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    8.554

    1+ 0,218 € Preiseinheit: 10+ 0,175 € Preiseinheit: 100+ 0,0828 € Preiseinheit: 250+ 0,0789 € Preiseinheit: 500+ 0,0699 € Preiseinheit: 1000+ 0,0443 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,218 € 10+ 0,175 € 100+ 0,0828 € 250+ 0,0789 € 500+ 0,0699 € 1000+ 0,0443 € Weitere Preise …

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    NPN, PNP 50V 380mW 200mA 200hFE SC-74 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    ULN2004ADRE4
    ULN2004ADRE4 - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    1236608

    TEXAS INSTRUMENTS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    8.499

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    NPN 50V - 500mA 1000hFE SOIC 16Pin(s) 70°C - -
    LM3046M/NOPB
    LM3046M/NOPB - Bipolares Transistor-Array, NPN, 15 V, 750 mW, 50 mA, 100 hFE, SOIC

    2295757

    TEXAS INSTRUMENTS - Bipolares Transistor-Array, NPN, 15 V, 750 mW, 50 mA, 100 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 15V
    Verlustleistung Pd 750mW

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, 15 V, 750 mW, 50 mA, 100 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 15V
    Verlustleistung Pd 750mW
    DC-Kollektorstrom 50mA
    DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 14Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    1+ 1,04 € Preiseinheit: 10+ 0,853 € Preiseinheit: 25+ 0,784 € Preiseinheit: 100+ 0,604 € Preiseinheit: 250+ 0,603 € Preiseinheit: 500+ 0,423 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN 15V 750mW 50mA 100hFE SOIC 14Pin(s) 85°C - -
    BC848CPDW1T1G
    BC848CPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach n- und p-Kanal, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

    2630339

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach n- und p-Kanal, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach n- und p-Kanal
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach n- und p-Kanal, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

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    Verlustleistung Pd 380mW
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    Bauform - Transistor SOT-363
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    Produktpalette BC848CPDW1 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    8.139

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    2630339RL in Re-Reel

    1+ 0,242 € 10+ 0,18 € 100+ 0,0705 € 250+ 0,0653 € 500+ 0,0641 € 1000+ 0,0343 € Weitere Preise …

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    Zweifach n- und p-Kanal 30V 380mW 100mA 420hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C BC848CPDW1 Series AEC-Q101
    EMX1FHAT2R
    EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    2528357

    ROHM - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW

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    ROHM 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW
    DC-Kollektorstrom 150mA
    DC-Stromverstärkung hFE 120hFE
    Bauform - Transistor SOT-563
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    8.150

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    Zweifach npn 50V 150mW 150mA 120hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    NST3906DXV6T1G
    NST3906DXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 357 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-563

    2728021

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 357 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität Zweifach pnp
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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 357 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität Zweifach pnp
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    Bauform - Transistor SOT-563
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    8.000

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    Zweifach pnp 40V 357mW 200mA 100hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - -
    BC847BPDXV6T1G
    BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

    2533394

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW
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    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SOT-563
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    7.900

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    1+ 0,444 € 10+ 0,283 € 100+ 0,114 € 250+ 0,108 € 500+ 0,106 € 1000+ 0,063 € Weitere Preise …

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    NPN, PNP 45V 500mW 100mA 200hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    BC847BPDW1T2G
    BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2724485

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
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    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    7.681

    1+ 0,241 € Preiseinheit: 10+ 0,19 € Preiseinheit: 100+ 0,0951 € Preiseinheit: 250+ 0,0885 € Preiseinheit: 500+ 0,0612 € Preiseinheit: 1000+ 0,0368 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    2724485RL in Re-Reel

    1+ 0,241 € 10+ 0,19 € 100+ 0,0951 € 250+ 0,0885 € 500+ 0,0612 € 1000+ 0,0368 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN, PNP 45V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    ULN2003AN
    ULN2003AN - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, DIP

    1470512

    TEXAS INSTRUMENTS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 25W

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 600hFE
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette ULN200x
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    7.497

    1+ 0,725 € Preiseinheit: 10+ 0,579 € Preiseinheit: 25+ 0,544 € Preiseinheit: 50+ 0,525 € Preiseinheit: 100+ 0,34 € Preiseinheit: 250+ 0,309 € Preiseinheit: 500+ 0,278 € Preiseinheit: 800+ 0,247 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,725 € 10+ 0,579 € 25+ 0,544 € 50+ 0,525 € 100+ 0,34 € 250+ 0,309 € 500+ 0,278 € 800+ 0,247 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN 50V 25W 500mA 600hFE DIP 16Pin(s) 70°C ULN200x -
    ULN2804A
    ULN2804A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    1094429

    STMICROELECTRONICS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor DIP
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    Produktpalette -
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    1+ 1,07 € Preiseinheit: 10+ 0,408 € Preiseinheit: 25+ 0,401 € Preiseinheit: 50+ 0,393 € Preiseinheit: 100+ 0,389 € Preiseinheit: 250+ 0,373 € Preiseinheit: 500+ 0,364 € Preiseinheit: 1000+ 0,357 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN 50V 2.25W 500mA 1000hFE DIP 18Pin(s) 85°C - -
    EMZ1FHAT2R
    EMZ1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    2528358

    ROHM - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW

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    ROHM 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW
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    Bauform - Transistor SOT-563
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    6.417

    1+ 0,342 € Preiseinheit: 25+ 0,201 € Preiseinheit: 100+ 0,162 € Preiseinheit: 250+ 0,119 € Preiseinheit: 500+ 0,0869 € Preiseinheit:

    Menge

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN, PNP 50V 150mW 150mA 120hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    SBC847BDW1T1G
    SBC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2724492

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Bauform - Transistor SOT-363
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    6.237

    1+ 0,461 € Preiseinheit: 10+ 0,333 € Preiseinheit: 100+ 0,169 € Preiseinheit: 250+ 0,168 € Preiseinheit: 500+ 0,111 € Preiseinheit: 1000+ 0,072 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    1+ 0,461 € 10+ 0,333 € 100+ 0,169 € 250+ 0,168 € 500+ 0,111 € 1000+ 0,072 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    Zweifach npn 45V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    BCV27
    BCV27 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE, SOT-23

    2575141

    NEXPERIA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE, SOT-23

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE, SOT-23

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 4000hFE
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.855

    1+ 0,151 € Preiseinheit: 10+ 0,15 € Preiseinheit: 100+ 0,0603 € Preiseinheit: 250+ 0,0601 € Preiseinheit: 500+ 0,06 € Preiseinheit: 1000+ 0,0473 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    2575141RL in Re-Reel

    1+ 0,151 € 10+ 0,15 € 100+ 0,0603 € 250+ 0,0601 € 500+ 0,06 € 1000+ 0,0473 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    Zweifach npn 30V 250mW 500mA 4000hFE SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    BCV61
    BCV61 - Bipolares Transistor-Array, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-143B

    2575144

    NEXPERIA - Bipolares Transistor-Array, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-143B

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-143B

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
    Bauform - Transistor SOT-143B
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.825

    1+ 0,291 € Preiseinheit: 10+ 0,184 € Preiseinheit: 100+ 0,136 € Preiseinheit: 250+ 0,109 € Preiseinheit: 500+ 0,0892 € Preiseinheit: 1000+ 0,0787 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5.825 Produkt vorrätig

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    1+ 0,291 € 10+ 0,184 € 100+ 0,136 € 250+ 0,109 € 500+ 0,0892 € 1000+ 0,0787 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN 30V 250mW 100mA 100hFE SOT-143B 4Pin(s) 150°C - -
    DMMT5401-7-F
    DMMT5401-7-F - Bipolares Transistor-Array, PNP, -150 V, 300 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-26

    1773583

    DIODES INC. - Bipolares Transistor-Array, PNP, -150 V, 300 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-26

    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -150V
    Verlustleistung Pd 300mW

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    DIODES INC. 

    Bipolares Transistor-Array, PNP, -150 V, 300 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-26

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    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -150V
    Verlustleistung Pd 300mW
    DC-Kollektorstrom -200mA
    DC-Stromverstärkung hFE 60hFE
    Bauform - Transistor SOT-26
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.011

    1+ 0,544 € Preiseinheit: 10+ 0,243 € Preiseinheit: 100+ 0,131 € Preiseinheit: 250+ 0,124 € Preiseinheit: 500+ 0,109 € Preiseinheit: 1000+ 0,0935 € Preiseinheit: 3000+ 0,0916 € Preiseinheit: 10000+ 0,0898 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5.011 Produkt vorrätig

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    Empfohlener Ersatz für:1773583
    1773583RL in Re-Reel

    1+ 0,544 € 10+ 0,243 € 100+ 0,131 € 250+ 0,124 € 500+ 0,109 € 1000+ 0,0935 € 3000+ 0,0916 € 10000+ 0,0898 € Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    PNP -150V 300mW -200mA 60hFE SOT-26 6Pin(s) 150°C - -
    BC846BPDW1T1G
    BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2533305

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BCxxx Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.083

    1+ 0,238 € Preiseinheit: 10+ 0,167 € Preiseinheit: 100+ 0,0669 € Preiseinheit: 250+ 0,0619 € Preiseinheit: 500+ 0,061 € Preiseinheit: 1000+ 0,033 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5.083 Produkt vorrätig

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:2533305
    2533305RL in Re-Reel

    1+ 0,238 € 10+ 0,167 € 100+ 0,0669 € 250+ 0,0619 € 500+ 0,061 € 1000+ 0,033 € Weitere Preise …

    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C BCxxx Series -
    ULN2004A
    ULN2004A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    1094423

    STMICROELECTRONICS - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.694

    1+ 0,48 € Preiseinheit: 10+ 0,174 € Preiseinheit: 100+ 0,154 € Preiseinheit: 250+ 0,149 € Preiseinheit: 500+ 0,147 € Preiseinheit: 2000+ 0,136 € Preiseinheit: 7000+ 0,127 € Preiseinheit: 20000+ 0,124 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    4.694 Produkt vorrätig

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    Stück

    1+ 0,48 € 10+ 0,174 € 100+ 0,154 € 250+ 0,149 € 500+ 0,147 € 2000+ 0,136 € 7000+ 0,127 € 20000+ 0,124 € Weitere Preise …

    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    NPN 50V - 500mA 1000hFE DIP 16Pin(s) 85°C - -
    SBC856BDW1T1G
    SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

    2630313

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

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    4.762 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 150hFE
    Bauform - Transistor SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    4.762

    1+ 0,447 € Preiseinheit: 10+ 0,278 € Preiseinheit: 100+ 0,109 € Preiseinheit: 250+ 0,103 € Preiseinheit: 500+ 0,0818 € Preiseinheit: 1000+ 0,0605 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    4.762 Produkt vorrätig

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    2630313RL in Re-Reel

    1+ 0,447 € 10+ 0,278 € 100+ 0,109 € 250+ 0,103 € 500+ 0,0818 € 1000+ 0,0605 € Weitere Preise …

    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    Zweifach pnp -65V 380mW 100mA 150hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    NST65011MW6T1G
    NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    2508356

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 0.9hFE
    Bauform - Transistor SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
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