Bipolare Schichttransistor-Arrays (BJT)

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ULN2003A
ULN2003A

1094421

STMICROELECTRONICS

Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
DC-Kollektorstrom 500mA

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STMICROELECTRONICS 

Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    Stück

    1+ 0,517 € Preiseinheit: 10+ 0,273 € Preiseinheit: 100+ 0,228 € Preiseinheit: 250+ 0,196 € Preiseinheit: 500+ 0,176 € Preiseinheit: 2000+ 0,152 € Preiseinheit: 7000+ 0,141 € Preiseinheit: 20000+ 0,131 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    NPN 50V - 500mA 1000hFE DIP 16Pin(s) 85°C - -
    ULN2003D1013TR
    ULN2003D1013TR

    1467825

    STMICROELECTRONICS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    25.737

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    1+ 0,277 € Preiseinheit: 70+ 0,203 € Preiseinheit: 200+ 0,194 € Preiseinheit: 750+ 0,151 € Preiseinheit: 1250+ 0,14 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    1+ 0,277 € 70+ 0,203 € 200+ 0,194 € Mehr…

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    NPN 50V - 500mA 1000hFE SOIC 16Pin(s) 85°C - -
    BC847BPN
    BC847BPN

    1081233

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 200mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

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    103.069 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 200mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform SC-88
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    103.069

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,227 € Preiseinheit: 50+ 0,0764 € Preiseinheit: 250+ 0,0704 € Preiseinheit: 500+ 0,0523 € Preiseinheit: 1500+ 0,0418 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    5+ 0,227 € 50+ 0,0764 € 250+ 0,0704 € Mehr…

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    NPN, PNP 45V 200mW 100mA 200hFE SC-88 6Pin(s) 150°C - -
    ULN2803A
    ULN2803A

    1094428

    STMICROELECTRONICS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform DIP
    Anzahl der Pins 18Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    12.704

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    1+ 0,697 € Preiseinheit: 10+ 0,525 € Preiseinheit: 100+ 0,442 € Preiseinheit: 250+ 0,412 € Preiseinheit: 500+ 0,368 € Preiseinheit: 1000+ 0,32 € Preiseinheit: 4000+ 0,304 € Preiseinheit: 10000+ 0,288 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    1+ 0,697 € 10+ 0,525 € 100+ 0,442 € Mehr…

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    NPN 50V 2.25W 500mA 1000hFE DIP 18Pin(s) 85°C - -
    EMZ1FHAT2R
    EMZ1FHAT2R

    2528358

    ROHM

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW

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    ROHM 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW
    DC-Kollektorstrom 150mA
    DC-Stromverstärkung hFE 120hFE
    Bauform SOT-563
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    16.482

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,101 € Preiseinheit: 25+ 0,0728 € Preiseinheit: 100+ 0,0505 € Preiseinheit: 250+ 0,0462 € Preiseinheit: 500+ 0,0392 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

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    2528358RL in Re-Reel

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    1+ 0,101 € 25+ 0,0728 € 100+ 0,0505 € Mehr…

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    NPN, PNP 50V 150mW 150mA 120hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    BC847CDXV6T1G
    BC847CDXV6T1G

    2533310

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563

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    14.228 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 420hFE
    Bauform SOT-563
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    14.228

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,269 € Preiseinheit: 10+ 0,205 € Preiseinheit: 100+ 0,109 € Preiseinheit: 250+ 0,102 € Preiseinheit: 500+ 0,0816 € Preiseinheit: 1000+ 0,0612 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    14.228 Produkt vorrätig

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    14.228 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    2533310RL in Re-Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,269 € 10+ 0,205 € 100+ 0,109 € Mehr…

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    Zweifach npn 45V 500mW 100mA 420hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    PUMH13
    PUMH13

    8738475

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 200mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

    + Lageraufstockung

    59.323 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 200mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
    Bauform SOT-363
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    59.323

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,197 € Preiseinheit: 90+ 0,084 € Preiseinheit: 250+ 0,0714 € Preiseinheit: 750+ 0,0557 € Preiseinheit: 1500+ 0,0515 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    59.323 Produkt vorrätig

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    59.323 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Empfohlener Ersatz für:8738475
    8738475RL in Re-Reel
    2439786 in Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,197 € 90+ 0,084 € 250+ 0,0714 € Mehr…

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    NPN 50V 200mW 100mA 100hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - -
    ULN2003ADR
    ULN2003ADR

    1470513

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    + Lageraufstockung

    11.572 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    11.572

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,39 € Preiseinheit: 70+ 0,222 € Preiseinheit: 200+ 0,213 € Preiseinheit: 750+ 0,164 € Preiseinheit: 1250+ 0,162 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    11.572 Produkt vorrätig

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    11.572 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Empfohlener Ersatz für:1470513
    1470513RL in Re-Reel
    2437964 in Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,39 € 70+ 0,222 € 200+ 0,213 € Mehr…

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    NPN 50V - 500mA - SOIC 16Pin(s) 70°C - -
    ULN2003AD
    ULN2003AD

    1651927

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

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    9.040 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 2.120 versandfertig ab 10.04.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 08.05.17 Tage

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    9.040

    Stück

    1+ 0,539 € Preiseinheit: 25+ 0,498 € Preiseinheit: 50+ 0,471 € Preiseinheit: 100+ 0,287 € Preiseinheit: 500+ 0,284 € Preiseinheit: 900+ 0,19 € Preiseinheit: 3000+ 0,187 € Preiseinheit: 9000+ 0,166 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    9.040 Produkt vorrätig

    + Lageraufstockung

    9.040 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 2.120 versandfertig ab 10.04.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 08.05.17 Tage

    Stück

    1+ 0,539 € 25+ 0,498 € 50+ 0,471 € Mehr…

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    NPN 50V - 500mA - SOIC 16Pin(s) 70°C - -
    ULN2804A
    ULN2804A

    1094429

    STMICROELECTRONICS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    8.765 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 740 versandfertig ab 21.04.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 05.06.17 Tage

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 2.25W
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform DIP
    Anzahl der Pins 18Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 85°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    8.765

    Stück

    1+ 1,12 € Preiseinheit: 10+ 0,814 € Preiseinheit: 25+ 0,782 € Preiseinheit: 50+ 0,749 € Preiseinheit: 100+ 0,635 € Preiseinheit: 250+ 0,585 € Preiseinheit: 500+ 0,559 € Preiseinheit: 1000+ 0,399 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    8.765 Produkt vorrätig

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    8.765 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    BC847BPDXV6T1G
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    2533394

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    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

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    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

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    Bauform SOT-563
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    ULN2803ADWR
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    1652419

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

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    BC847BS
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    1081234

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, 45 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 250mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, 45 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 250mW
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    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
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    BC848CPDW1T1G
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    2630339

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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach n- und p-Kanal, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach n- und p-Kanal
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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach n- und p-Kanal, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363 Neu

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    Wandlerpolarität Zweifach n- und p-Kanal
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 420hFE
    Bauform SOT-363
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    Zweifach n- und p-Kanal 30V 380mW 100mA 420hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C BC848CPDW1 Series AEC-Q101
    PUMD3
    PUMD3

    8738378

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 200mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 200mW
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    NPN, PNP 50V 200mW 100mA 30hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - -
    EMD3FHAT2R
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    2528361

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    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW

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    ROHM 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

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    Wandlerpolarität NPN, PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd 150mW
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    DC-Stromverstärkung hFE 30hFE
    Bauform SOT-563
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    7.939

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    NPN, PNP 50V 150mW 100mA 30hFE SOT-563 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    NST3904DP6T5G
    NST3904DP6T5G

    2317635

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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 40V
    Verlustleistung Pd 350mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 40V
    Verlustleistung Pd 350mW
    DC-Kollektorstrom 200mA
    DC-Stromverstärkung hFE 30hFE
    Bauform SOT-963
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
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    7.827

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    Zweifach npn 40V 350mW 200mA 30hFE SOT-963 6Pin(s) 150°C - -
    ULN2003ADR2G
    ULN2003ADR2G

    2628016

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    Bipolares Transistor-Array, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform SOIC
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    7.713

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    1+ 0,653 € 10+ 0,52 € 100+ 0,271 € Mehr…

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    NPN 50V - 500mA 1000hFE SOIC 16Pin(s) 150°C - -
    BCM846BS
    BCM846BS

    2545342

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 65 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 300mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 65 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 65V
    Verlustleistung Pd 300mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform SOT-363
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    5.990

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    Zweifach npn 65V 300mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    NSM4002MR6T1G
    NSM4002MR6T1G

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    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 µW, 500 mA, 40 hFE, SC-74

    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500µW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 µW, 500 mA, 40 hFE, SC-74

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    Wandlerpolarität Zweifach npn
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 500µW
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 40hFE
    Bauform SC-74
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    5.975

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    Zweifach npn 45V 500µW 500mA 40hFE SC-74 6Pin(s) 150°C - -
    BCM856DS
    BCM856DS

    1829188

    NEXPERIA

    Bipolares Transistor-Array, PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457

    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    Bipolares Transistor-Array, PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457

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    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom -100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 290hFE
    Bauform SOT-457
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    PNP -65V 380mW -100mA 290hFE SOT-457 6Pin(s) 150°C - -
    BCV62B
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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 250 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-143B

    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW

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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 250 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-143B

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    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 30V
    Verlustleistung Pd 250mW
    DC-Kollektorstrom -100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 220hFE
    Bauform SOT-143B
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    Zweifach pnp 30V 250mW -100mA 220hFE SOT-143B 4Pin(s) 150°C - -
    SBC856BDW1T1G
    SBC856BDW1T1G

    2630313

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW

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    Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 Neu

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    Wandlerpolarität Zweifach pnp
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -65V
    Verlustleistung Pd 380mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 150hFE
    Bauform SOT-363
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    5.630

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    1+ 0,356 € Preiseinheit: 10+ 0,229 € Preiseinheit: 100+ 0,0977 € Preiseinheit: 250+ 0,0862 € Preiseinheit: 500+ 0,0816 € Preiseinheit: 1000+ 0,0747 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    Zweifach pnp -65V 380mW 100mA 150hFE SOT-363 6Pin(s) 150°C - AEC-Q101
    ULN2004D1013TR
    ULN2004D1013TR

    1564361

    STMICROELECTRONICS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    STMICROELECTRONICS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform SOIC
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    5.512

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    NPN 50V - 500mA 1000hFE SOIC 16Pin(s) 85°C - -
    BC847BS-7-F
    BC847BS-7-F

    1773587

    DIODES INC.

    Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 200mW

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    DIODES INC. 

    Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 200mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform SOT-363
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    4.630

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    1+ 0,34 € Preiseinheit: 10+ 0,181 € Preiseinheit: 100+ 0,133 € Preiseinheit: 250+ 0,108 € Preiseinheit: 500+ 0,0661 € Preiseinheit: 2000+ 0,0556 € Preiseinheit: 3000+ 0,0451 € Preiseinheit: 9000+ 0,0337 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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