Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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UDZVFHTE-175.6B
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2528873

ROHM

Zener-Diode, AEC-Q101, 5.6 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C

ZENER-DIODE, 5.6V, SOD-323FL; Zener-Spannung Vz, typ.:5.6V; Verlustleistung Pd:200mW; Bauform:SOD-323FL; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:UDZVF Series; Qualifizierungsstandard

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RB160M-40TR
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1680023

ROHM

Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 510 mV, 30 A, 150 °C

SCHOTTKY-DIODE; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Durchlassspannung Vf max.:510mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betriebstemperatur, max.:150°C; Bauform:SOD-123; Anzahl de

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EDZVFHT2R4.7B
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2528829

ROHM

Zener-Diode, AEC-Q101, 4.7 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

ZENER-DIODE, 4.7V, SOD-523; Zener-Spannung Vz, typ.:4.7V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:EDZVF Series; Qualifizierungsstandard der

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RF071M2STR
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1680040

ROHM

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 700 mA, Einfach, 850 mV, 25 ns, 15 A

GLEICHR.DIODE, 200V, 0.7A, SOD123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):700mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:850mV; Sperrerholzeit Trr, max.:25ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:15A; Betr

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    EDZVFHT2R16B
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    2528827

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 16 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 16V, SOD-523; Zener-Spannung Vz, typ.:16V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:EDZVF Series; Qualifizierungsstandard der A

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    EDZVFHT2R11B
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    2581507

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 11 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER, AUTO, 0.15W, 11V, SOD523; Zener-Spannung Vz, typ.:11V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:-; Qualifizierungsstandard der Automo

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    1SS355TE-17
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    1525435

    ROHM

    Kleinsignaldiode, hohe Schaltfrequenz, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA

    SCHALTDIODE, 80V, SMD; Diodenkonfiguration:-; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:90V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:4ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:225mA; Betriebstemperatur, max

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    2SC5662T2LP
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    1680136

    ROHM

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

    TRANSISTOR, VMT3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:11V; Übergangsfrequenz ft:3.2GHz; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:10mA; DC-Stromverstärkung hFE:56hFE; Bauform:VMT; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, max.:

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    EMZ1FHAT2R
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    2528358

    ROHM

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Wandlerpolarität:NPN, PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:150mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-563; Anzahl der Pins:6Pin(s); Betriebstemperatur, max.:1

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    DTC143ZUAFRAT106
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    2528401

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 4K7/47K, SOT-323; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.1Verhältnis; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pin

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    RF01VM2SFHTE-17
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    2528898

    ROHM

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 250 V, 100 mA, Einfach, 1.2 V, 50 ns, 1 A

    GLEICHRICHTER, 0.1A, 250V, SOD-323; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:250V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:50ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:1A; Betri

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    2SK3541T2L
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    1680170

    ROHM

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 30 V, 5 ohm, 4 V, 1.5 V

    TRANSISTOR, MOSFET, N-KANAL; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):5ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.5V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:VMT; Anzahl der

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    DTC144EMFHAT2L
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    2528403

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 47K/47K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:47kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der Pins

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    1SR154-400TE25
    1SR154-400TE25

    1525432

    ROHM

    Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 400V; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:400V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betriebstemper

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    DTC114YUAFRAT106
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    2528385

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 10K/47K, SOT-323; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:10kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.21Verhältnis; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pin

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    1SS380TE-17
    1SS380TE-17

    1833969

    ROHM

    Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 40 V, 100 mA, 1.2 V, 400 mA

    SCHALTDIODE, 35V, 0.1A, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:400mA; Betriebst

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    RB058L-60DDTE25
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    2528904

    ROHM

    Schottky-Gleichrichterdiode, AEC-Q101, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-106, 2 Pin(s), 640 mV

    SCHOTTKY-GLEICHRICHTER, 3A, 60V, SOD106; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:60V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):3A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-106; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:640mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, m

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    RRE02VTM4SFHTR
    RRE02VTM4SFHTR

    2528819

    ROHM

    Diode mit Standard-Erholzeit, AEC-Q101, 400 V, 200 mA, Einfach, 1.1 V, 1 A

    GLEICHRICHTER, 0.2A,400V, SOD323HE; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:400V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:1A; Betriebs

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    EMD9FHAT2R
    EMD9FHAT2R

    2528362

    ROHM

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Wandlerpolarität:NPN, PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:68hFE; Bauform:SOT-563; Anzahl der Pins:6Pin(s); Betriebstemperatur, max.:15

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    RSX501L-20TE25
    RSX501L-20TE25

    1680071

    ROHM

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 25 V, 5 A, 390 mV, 70 A, 125 °C

    SCHOTTKY-DIODE; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:25V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):5A; Durchlassspannung Vf max.:390mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:70A; Betriebstemperatur, max.:125°C; Bauform:SOD-106; Anzahl de

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    EDZVFHT2R30B
    EDZVFHT2R30B

    2528828

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 30 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 30V, SOD-523; Zener-Spannung Vz, typ.:30V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:EDZVF Series; Qualifizierungsstandard der A

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    RF081M2STFTR
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    2528893

    ROHM

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 800 mA, Einfach, 950 mV, 25 ns, 20 A

    GLEICHRICHTER, 20A, 200V, SOD-123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):800mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:950mV; Sperrerholzeit Trr, max.:25ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:20A; Betr

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    DTC144EUAFRAT106
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    2528404

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 47K/47K, SOT-323; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:47kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pins:3

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    RTM002P02T2L
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    2143950

    ROHM

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV

    MOSFET, P-KANAL, 20V, 0.2A, VMT3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-200mA; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):1ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-700mV; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:VMT;

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    RSR010N10FHATL
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    2527973

    ROHM

    MOSFET-Transistor, AEC-Q101, n-Kanal, 1 A, 100 V, 0.37 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N-KANAL, 100V, 1A, TSMT-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:1A; Drain-Source-Spannung Vds:100V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.37ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.5V; Verlustleistung Pd:1W; Bauform:TSMT; Anzah

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