Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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UDZVFHTE-175.6B
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2528873

ROHM

Zener-Diode, AEC-Q101, 5.6 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C

ZENER-DIODE, 5.6V, SOD-323FL; Zener-Spannung Vz, typ.:5.6V; Verlustleistung Pd:200mW; Bauform:SOD-323FL; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:UDZVF Series; Qualifizierungsstandard

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1SS355TE-17
1SS355TE-17

1525435

ROHM

Kleinsignaldiode, hohe Schaltfrequenz, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA

SCHALTDIODE, 80V, SMD; Diodenkonfiguration:-; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:90V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:4ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:225mA; Betriebstemperatur, max

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EMZ1FHAT2R
EMZ1FHAT2R

2528358

ROHM

Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Wandlerpolarität:NPN, PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:150mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-563; Anzahl der Pins:6Pin(s); Betriebstemperatur, max.:1

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RB160M-40TR
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1680023

ROHM

Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 510 mV, 30 A, 150 °C

SCHOTTKY-DIODE; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Durchlassspannung Vf max.:510mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betriebstemperatur, max.:150°C; Bauform:SOD-123; Anzahl de

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    UDZVFHTE-176.8B
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    2528875

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 6.8 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 6.8V, SOD-323FL; Zener-Spannung Vz, typ.:6.8V; Verlustleistung Pd:200mW; Bauform:SOD-323FL; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:UDZVF Series; Qualifizierungsstandard

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    RF071M2STR
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    1680040

    ROHM

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 700 mA, Einfach, 850 mV, 25 ns, 15 A

    GLEICHR.DIODE, 200V, 0.7A, SOD123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):700mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:850mV; Sperrerholzeit Trr, max.:25ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:15A; Betr

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    EMH11FHAT2R
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    2528364

    ROHM

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, 2FACH NPN, 50V, SOT-563; Wandlerpolarität:Zweifach npn; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:SOT-563; Anzahl der Pins:6Pin(s); Betriebstemperatur, m

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    DTA143XMFHAT2L
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    2528375

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm

    TRANSISTOR, PNP, 4K7/10K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:-100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:10kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.47Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl de

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    EMD3FHAT2R
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    2528361

    ROHM

    Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Wandlerpolarität:NPN, PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:SOT-563; Anzahl der Pins:6Pin(s); Betriebstemperatur, max.:15

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    DTC143XMFHAT2L
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    2528397

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm

    TRANSISTOR, NPN, 4K7/10K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:10kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.47Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der

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    DTC143TMFHAT2L
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    2528394

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SC-105AA

    DIGITALTRANSISTOR, NPN, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:-; Widerstandsverhältnis R1/R2:-; Bauform:SC-105AA; Anzahl der Pins:3 Pins; Produkt

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    DTC124XMFHAT2L
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    2528392

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 22K/47K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:22kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.46Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der P

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    EDZVFHT2R16B
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    2528827

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 16 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 16V, SOD-523; Zener-Spannung Vz, typ.:16V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:EDZVF Series; Qualifizierungsstandard der A

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    EDZVFHT2R11B
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    2581507

    ROHM

    Zener-Diode, AEC-Q101, 11 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER, AUTO, 0.15W, 11V, SOD523; Zener-Spannung Vz, typ.:11V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SOD-523; Toleranz ±:-; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:-; Qualifizierungsstandard der Automo

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    DTC143ZMFHAT2L
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    2528399

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 4K7/47K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.1Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der P

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     RV2C002UNT2L
     RV2C002UNT2L

    2490618

    ROHM

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 20V, 0.18A, VML1006-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:180mA; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):1.4ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:100mW; Bauform:VML

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    RF01VM2SFHTE-17
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    2528898

    ROHM

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 250 V, 100 mA, Einfach, 1.2 V, 50 ns, 1 A

    GLEICHRICHTER, 0.1A, 250V, SOD-323; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:250V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:50ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:1A; Betri

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    2SC5662T2LP
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    1680136

    ROHM

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

    TRANSISTOR, VMT3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:11V; Übergangsfrequenz ft:3.2GHz; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:10mA; DC-Stromverstärkung hFE:56hFE; Bauform:VMT; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, max.:

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    DTC114EMFHAT2L
    DTC114EMFHAT2L

    2528381

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 10K/10K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:10kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:10kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der Pins

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    DTC143ZUAFRAT106
    DTC143ZUAFRAT106

    2528401

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 4K7/47K, SOT-323; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:4.7kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.1Verhältnis; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pin

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    2SK3541T2L
    2SK3541T2L

    1680170

    ROHM

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 30 V, 5 ohm, 4 V, 1.5 V

    TRANSISTOR, MOSFET, N-KANAL; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):5ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.5V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:VMT; Anzahl der

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    2528369

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis

    TRANSISTOR, PNP, 10K/10K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:-100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:10kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:10kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der Pi

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    2528385

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 10K/47K, SOT-323; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:10kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.21Verhältnis; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pin

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    2528403

    ROHM

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Verhältnis

    TRANSISTOR, NPN, 47K/47K, SC-105AA; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:47kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SC-105AA; Anzahl der Pins

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    2528819

    ROHM

    Diode mit Standard-Erholzeit, AEC-Q101, 400 V, 200 mA, Einfach, 1.1 V, 1 A

    GLEICHRICHTER, 0.2A,400V, SOD323HE; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:400V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:1A; Betriebs

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