Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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1056526

INFINEON

MOSFET-Transistor, p-Kanal, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

MOSFET, P-KANAL, -60V, -0.17A, SOT-23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-170mA; Drain-Source-Spannung Vds:-60V; Betriebswiderstand, Rds(on):8ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.5V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:S

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BC847CE6327HTSA1
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2432696

INFINEON

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:330mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:110hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s

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IRLML6344TRPBF
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1857299

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

MOSFET, N-KANAL, 30V, 5A, SOT23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):22mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:800mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23; Anz

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    2443491

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 10K/47K, SOT-23-3; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Anzahl der Pins:3Pin(s); Produktpalette:-; Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - unbegrenzt; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Basis-Eingangswidersta

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    BSS138NH6327XTSA2
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    2432717

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:230mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):2.2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:SOT-2

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    2725760

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°C

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    2725757

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°C;

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    2725759

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Kathode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebst

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    BAT5403WE6327HTSA1
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    2725758

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°

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    BSS223PWH6327XTSA1
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    2617469

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET, P-KANAL, -20V, -0.39A, SOT-323-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-390mA; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.7ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-900mV; Verlustleistung Pd:250mW; Ba

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    BCR112E6327HTSA1
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    2443489

    INFINEON

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Wandlerpolarität:-; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:-; DC-Kollektorstrom:-; DC-Stromverstärkung hFE:-; Bauform:-; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, ma

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    2N7002H6327XTSA2
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    2443474

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, BRT, n-Kanal, 300 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.1 V

    MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:300mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):1.6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.1V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOT-23;

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    IRLML9301TRPBF
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    1831089

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -3.6 A, -30 V, 0.051 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET, DIODE, P-KANAL, 30V, 3.6A, SOT23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-3.6A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.051ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.3V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauf

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    IRF3708PBF
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    8648158

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO-220; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:62A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):12mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2V; Verlustleistung Pd:87W; Bauform:TO-220AB; Anz

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    IRFML8244TRPBF
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    1857298

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 25V, 5.7A, SOT23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5.8A; Drain-Source-Spannung Vds:25V; Betriebswiderstand, Rds(on):20mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.7V; Verlustleistung Pd:1.25W; Bauform:SOT-23;

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    IRLML0100TRPBF
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    1783928

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N-KANAL, 100V, 1.6A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:1.6A; Drain-Source-Spannung Vds:100V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.178ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.5V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-

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    BAT6404E6327HTSA1
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    2432680

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Ein Paar in Reihe, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C

    GR-DIODE, SCHOTTKY, 0.12A, 40V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Ein Paar in Reihe; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:750mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:800mA; Betriebstemperatur,

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    IRLML9303TRPBF
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    1831090

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -2.3 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET, DIODE, P-KANAL, 30V, 2.3A, SOT23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-2.3A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.135ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.3V; Verlustleistung Pd:1.25W; Bau

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    BFR193WH6327XTSA1
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    2726103

    INFINEON

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-323; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:12V; Übergangsfrequenz ft:8GHz; Verlustleistung Pd:580mW; DC-Kollektorstrom:80mA; DC-Stromverstärkung hFE:70hFE; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pins:3Pin(s); B

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    BSS308PEH6327XTSA1
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    2432719

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P-KANAL, -30V, -2A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-2A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.062ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.5V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:S

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    BAT60AE6327HTSA1

    2432679

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C

    GR-DIODE, SCHOTTKY, 3A, 10V, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:10V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):3A; Durchlassspannung Vf max.:370mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:5A; Betriebstemperatur, max.:85°C; Baufor

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    IRLML6401PBF
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    8660093

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P-KANAL, -12V, -4.3A, MICRO 3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-4.3A; Drain-Source-Spannung Vds:-12V; Betriebswiderstand, Rds(on):50mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-550mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform

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    1791366

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 5.3A, SOT23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5.3A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.022ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.7V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-2

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    BSS316NH6327XTSA1
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    2432720

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:1.4A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.119ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.6V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOT

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    IRLML2030TRPBF
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    1791568

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 2.7A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:2.7A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.08ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.7V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23;

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