Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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2432717

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:230mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):2.2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:SOT-2

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    BC847CE6327HTSA1
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    2432696

    INFINEON

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:330mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:110hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s

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    BA89202VH6327XTSA1
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    2725715

    INFINEON

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF

    PIN-DIODE, AECQ101, 35V, 0.1A, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.36ohm; Durchbruchspannung Vbr:35V; Bauform:SC-79; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.85pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt;

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    BSS84PH6327XTSA2
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    1056526

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P-KANAL, -60V, -0.17A, SOT-23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-170mA; Drain-Source-Spannung Vds:-60V; Betriebswiderstand, Rds(on):8ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.5V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:S

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    BAT5403WE6327HTSA1
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    2725758

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°

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    BCR112E6327HTSA1
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    2443489

    INFINEON

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Wandlerpolarität:-; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:-; DC-Kollektorstrom:-; DC-Stromverstärkung hFE:-; Bauform:-; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, ma

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    BSS223PWH6327XTSA1
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    2617469

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET, P-KANAL, -20V, -0.39A, SOT-323-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-390mA; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.7ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-900mV; Verlustleistung Pd:250mW; Ba

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    BB639CE7904HTSA1
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    2480615

    INFINEON

    Diode mit variabler Kapazität, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins

    VARICAP-DIODE, 2.75PF, 0.02A, SOD-323; Kapazität Cd max. bei Vr F:2.75pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):20mA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Betriebstemperatur, max.:150°C; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2 Pins; Verpackung:Gurtabschnitt;

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    IRLML6344TRPBF
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    1857299

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 5A, SOT23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):22mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:800mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23; Anz

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    BSS316NH6327XTSA1
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    2432720

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:1.4A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.119ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.6V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOT

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    IRF3708PBF
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    8648158

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO-220; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:62A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):12mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2V; Verlustleistung Pd:87W; Bauform:TO-220AB; Anz

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    BAT60AE6327HTSA1
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    2432679

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C

    GR-DIODE, SCHOTTKY, 3A, 10V, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:10V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):3A; Durchlassspannung Vf max.:370mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:5A; Betriebstemperatur, max.:85°C; Baufor

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    BAT6404E6327HTSA1
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    2432680

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Ein Paar in Reihe, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C

    GR-DIODE, SCHOTTKY, 0.12A, 40V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Ein Paar in Reihe; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:750mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:800mA; Betriebstemperatur,

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    BAS4007E6327HTSA1
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    2725748

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 40V, SOT-143; Diodenkonfiguration:Zweifach, isoliert; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:200mA; Betriebstemperatur, m

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    BAS3010A03WE6327HTSA1
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    2432677

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 30 V, 1 A, 470 mV, 10 A, 125 °C

    AF-SCHOTTKY-DIODEN; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Durchlassspannung Vf max.:470mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:10A; Betriebstemperatur, max.:125°C; Bauform:SOD-323; Anzah

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    IRLML6244TRPBF
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    1864517

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

    MOSFET, N-KANAL, 20V, 6.3A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:6.3A; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):21mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:0.9V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23;

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    IRLML0060TRPBF
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    1783927

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 2.7A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:2.7A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.078ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.5V; Verlustleistung Pd:1.25W; Bauform:SOT-2

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    BSS83PH6327XTSA1
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    2432722

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P-KANAL, -60V, -0.33A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-330mA; Drain-Source-Spannung Vds:-60V; Betriebswiderstand, Rds(on):1.4ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.5V; Verlustleistung Pd:360mW; Baufo

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    BFP183E7764HTSA1
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    2726095

    INFINEON

    RF TRANSISTOR

    RF TRANSISTOR; MSL:MSL 1 - unbegrenzt; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)

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    BFR193WH6327XTSA1
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    2726103

    INFINEON

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ; MSL:MSL 1 - unbegrenzt; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)

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    BGX50AE6327HTSA1
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    2432683

    INFINEON

    Brückengleichrichterdiode, AEC-Q101, 1, 50 V, 140 mA, SOT-143, 1.3 V, 4 Pin(s)

    AF-DIODEN; Anzahl der Phasen:1; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:50V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):140mA; Bauform:SOT-143; Durchlassspannung Vf max.:1.3V; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produkt

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    IRLML6401TRPBF
    IRLML6401TRPBF

    1463267

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P-KANAL, MICRO3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-4.3A; Drain-Source-Spannung Vds:-12V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.05ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-550mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23; Anza

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    8660093

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    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    MOSFET, P-KANAL, -12V, -4.3A, MICRO 3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-4.3A; Drain-Source-Spannung Vds:-12V; Betriebswiderstand, Rds(on):50mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-550mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform

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    BAR8802VH6327XTSA1
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    HF/pin-Diode, AEC-Q101, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF

    DIODE, RF, 0.3PF, 80V, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.6ohm; Durchbruchspannung Vbr:80V; Bauform:SC-79; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.3pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Betriebst

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    TV AND SAT TUNER DIODES

    TV AND SAT TUNER DIODES; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); MSL:MSL 1 - unbegrenzt

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