Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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BSS84PH6327XTSA2
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1056526

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MOSFET-Transistor, p-Kanal, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

MOSFET, P-KANAL, -60V, -0.17A, SOT-23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-170mA; Drain-Source-Spannung Vds:-60V; Betriebswiderstand, Rds(on):8ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.5V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:S

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    2709994

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    HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF

    PIN-DIODE, AEC-Q101, 35V, 0.1A, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.36ohm; Durchbruchspannung Vbr:35V; Bauform:SC-79; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.85pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt

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    BSS138NH6327XTSA2
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    2432717

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:230mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):2.2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:360mW; Bauform:SOT-2

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    BC847CE6327HTSA1
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    2432696

    INFINEON

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:330mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:110hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s

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    BA89202VH6327XTSA1
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    2725715

    INFINEON

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF

    PIN-DIODE, AEC-Q101, 35V, 0.1A, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.36ohm; Durchbruchspannung Vbr:35V; Bauform:SC-79; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.85pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt

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    IRLML6344TRPBF
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    1857299

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 5A, SOT23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):22mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:800mV; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-23; Anz

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    2709941

     
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    TV AND SAT TUNER DIODES

    TV AND SAT TUNER DIODES; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); MSL:MSL 1 - unbegrenzt

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    2709866

     
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    TV AND SAT TUNER DIODES

    TV AND SAT TUNER DIODES; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); MSL:MSL 1 - unbegrenzt

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    BB56502VH7902XTSA1
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    2725706

    INFINEON

    Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins

    HF-DIODE, 2.2PF, 0.02A, SC-79; Kapazität Cd max. bei Vr F:2.2pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):20mA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Betriebstemperatur, max.:150°C; Bauform:SC-79; Anzahl der Pins:2 Pins; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpal

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    IRLML0100TRPBF
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    1783928

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N-KANAL, 100V, 1.6A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:1.6A; Drain-Source-Spannung Vds:100V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.178ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.5V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauform:SOT-

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    2725752

     
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    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 70V, SOT-323; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Kathode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:70V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):70mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:100mA; Betriebstemp

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    BAT54E6327HTSA1
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    2725760

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°C

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    BAS4005WH6327XTSA1
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    2725747

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 40V, SOT-323; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Kathode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:200mA; Betriebstem

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    BAT5403WE6327HTSA1
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    2725758

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    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°

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    BAT5402VH6327XTSA1
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    2725757

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    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 30V, SC-79; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:800mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:600mA; Betriebstemperatur, max.:150°C;

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    BSS223PWH6327XTSA1
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    2617469

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET, P-KANAL, -20V, -0.39A, SOT-323-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-390mA; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.7ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-900mV; Verlustleistung Pd:250mW; Ba

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    BB639CE7904HTSA1
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    2480615

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    Diode mit variabler Kapazität, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins

    VARICAP-DIODE, 2.75PF, 0.02A, SOD-323; Kapazität Cd max. bei Vr F:2.75pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):20mA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Betriebstemperatur, max.:150°C; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2 Pins; Verpackung:Gurtabschnitt;

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    IRLML9301TRPBF
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    1831089

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -3.6 A, -30 V, 0.051 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET, DIODE, P-KANAL, 30V, 3.6A, SOT23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-3.6A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.051ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-1.3V; Verlustleistung Pd:1.3W; Bauf

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    BCR112E6327HTSA1
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    2443489

    INFINEON

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 50 V

    DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Wandlerpolarität:-; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:-; DC-Kollektorstrom:-; DC-Stromverstärkung hFE:-; Bauform:-; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, ma

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    2725754

     
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    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 70V, SOT-343; Diodenkonfiguration:Zweifach, isoliert; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:70V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):70mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:100mA; Betriebstemperatur, ma

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    2N7002H6327XTSA2
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    2443474

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, BRT, n-Kanal, 300 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.1 V

    MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:300mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):1.6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2.1V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOT-23;

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    IRF3708PBF
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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO-220; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:62A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):12mohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2V; Verlustleistung Pd:87W; Bauform:TO-220AB; Anz

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    BAS4007WH6327XTSA1
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    2725749

    INFINEON

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 40V, SOT-343; Diodenkonfiguration:Zweifach, isoliert; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:200mA; Betriebstemperatur, m

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    BAS40E6327HTSA1
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    2725750

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    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 40V, SOT-23; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):120mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:200mA; Betriebstemperatur, max.:150°C; B

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    BF2040WH6814XTSA1
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    2725796

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40 mA, 8 V

    MOSFET, N-KANAL, AUTO, 8V, 0.04A, SOT343; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:40mA; Drain-Source-Spannung Vds:8V; Betriebswiderstand, Rds(on):-; Rds(on)-Messspannung Vgs:-; Schwellenspannung Vgs:-; Verlustleistung Pd:200mW; Bauform:SOT-343; Anz

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