Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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BFR540
BFR540

1081295

NXP

Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:120mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BFS17A
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    1081302

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:2.8GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:25mA; DC-Stromverstärkung hFE:90hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BFM520,115
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    1758050

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach npn, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN, 2FACH, 0.07A, 8V, SOT363; Wandlerpolarität:Zweifach npn; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:8V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:1W; DC-Kollektorstrom:70mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-363; Anzahl der Pins:6P

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    BF862,215
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    1758058

    NXP

    JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

    JET, N-KANAL, 20V, SOT-23; Durchbruchspannung Vbr:-20V; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:10mA; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:25mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:-1.2V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:JFET; Anzahl der Pin

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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    HF-FET-Transistor, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    JFET, N-KANAL, 30V, SOT-23; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Dauer-Drainstrom Id:13mA; Verlustleistung Pd:250mW; Betriebsfrequenz, min.:-; Betriebsfrequenz, max.:-; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Produktpalette:-;

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    PHD13003C
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    1859374

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE

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    TRANSISTOR M. DIODE NPN 400V, 1.5A, TO92; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:400V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:2.1W; DC-Kollektorstrom:1.5A; DC-Stromverstärkung hFE:17hFE; Bauform:TO-92; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betr

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    BF861B,215
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    1758057

    NXP

    JFET-Transistor, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

    JET, N-KANAL, 25V, SOT-23; Durchbruchspannung Vbr:-25V; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:6mA; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:15mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:-1.5V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:JFET; Anzahl der Pins

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    BFG21W,115
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    1758043

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 15V, .5A, 18GHZ SOT343R; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:4.5V; Übergangsfrequenz ft:18GHz; Verlustleistung Pd:600mW; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-343R; Anzahl der Pins:3Pin

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    BFR520
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    1081294

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:70mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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    BB201,215
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    1757785

    NXP

    Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins

    KAPAZITÄTSDIODE, 2FACH, 15V, SOT-23; Kapazität Cd max. bei Vr F:102pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):20mA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:15V; Betriebstemperatur, max.:125°C; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3 Pins; Verpackung:Gurtabschnitt; Pro

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    BAP64-03,115
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    1757790

    NXP

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pins, 0.35 pF

    PIN-DIODE, 175V, 0.1A, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.7ohm; Durchbruchspannung Vbr:175V; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.35pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Bet

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    BFS17
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    1081301

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:1GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:25mA; DC-Stromverstärkung hFE:90hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemper

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    BFT93
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    1097184

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, PNP, 12 V, 5 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE

    HF-TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:12V; Übergangsfrequenz ft:5GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:-35mA; DC-Stromverstärkung hFE:50hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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    PHE13003A
    PHE13003A

    1859370

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    TRANSISTOR, NPN, 400V, 1A, TO-92; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:400V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:2.1W; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:7.5hFE; Bauform:SOT-54; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BUJ100LR
    BUJ100LR

    1859369

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    TRANSISTOR, NPN, 400V, 1A, TO-92; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:400V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:2.1W; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:7.5hFE; Bauform:SOT-54; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BT149D
    BT149D

    1081323

    NXP

    Thyristor, 400 V, 200 µA, 0.5 A, 0.8 A, TO-92, 3 Pin(s)

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    THYRISTOR, 0,8A 400V TO-92; Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm:400V; Zündstrom, max., Igt:200µA; Strom It av:0.5A; Durchlass-Effektivstrom, IT(rms):0.8A; Bauform:TO-92; Anzahl der Pins:3Pin(s); Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz:8A; Haltestrom Ih, m

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    Z0107MN,135
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    1757889

    NXP

    Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 5 mA, 1.3 V, 2 W

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    TRIAC,600V 1A SOT-223; Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm:600V; Durchlass-Effektivstrom, IT(rms):1A; Bauform:SOT-223; Zündstrom, max. (QI), Igt:5mA; Zündspannung, max., Vgt:1.3V; Spitzensteuerleistung:2W; Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz:8.5A; Hal

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    BAP70-02,115
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    1757793

    NXP

    HF/pin-Diode, Einfach, 1.4 ohm, 50 V, SOD-523, 2 Pins, 0.25 pF

    PIN-DIODE, 50V, 0.1A, SOD-523; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:1.4ohm; Durchbruchspannung Vbr:50V; Bauform:SOD-523; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.25pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Betri

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    PHE13003C
    PHE13003C

    1859373

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    TRANSISTOR, NPN, 400V, 1.5A, TO92; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:400V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:2.1W; DC-Kollektorstrom:1.5A; DC-Stromverstärkung hFE:17hFE; Bauform:SOT-54; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebste

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    Z0107NA
    Z0107NA

    2074998

    NXP

    Triac, 800 V, 1 A, TO-92, 7 mA, 1.3 V, 2 W

    Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.

    TRIAC,4Q,1A,800V,TO92; Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm:800V; Durchlass-Effektivstrom, IT(rms):1A; Bauform:TO-92; Zündstrom, max. (QI), Igt:7mA; Zündspannung, max., Vgt:1.3V; Spitzensteuerleistung:2W; Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz:8.5A; Halte

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    BFS540
    BFS540

    1349660

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-323; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:120mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

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    1757789

    NXP

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 Pins, 0.35 pF

    PIN-DIODE, 175V, 0.1A, SOD-523; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.7ohm; Durchbruchspannung Vbr:175V; Bauform:SOD-523; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.35pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Bet

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    NXP

    JFET-Transistor, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    JFET, P-KANAL, 30V, 0.03A, SOT23; Durchbruchspannung Vbr:30V; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:7mA; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:70mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:6V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:JFET; Anzahl der P

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    1349657

    NXP

    HF-FET-Transistor, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

    MOSFET, DUAL-GATE, N-KANAL, HF, SOT-143; Drain-Source-Spannung Vds:7V; Dauer-Drainstrom Id:30mA; Verlustleistung Pd:200mW; Betriebsfrequenz, min.:40MHz; Betriebsfrequenz, max.:3GHz; Bauform:SOT-143B; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°

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    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:5V; Übergangsfrequenz ft:2.3GHz; Verlustleistung Pd:30mW; DC-Kollektorstrom:6.5mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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