Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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BFR540
BFR540

1081295

NXP

Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:120mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BFM520,115
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    1758050

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach npn, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN, 2FACH, 0.07A, 8V, SOT363; Wandlerpolarität:Zweifach npn; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:8V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:1W; DC-Kollektorstrom:70mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-363; Anzahl der Pins:6P

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    BF862,215
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    1758058

    NXP

    JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

    JET, N-KANAL, 20V, SOT-23; Durchbruchspannung Vbr:-20V; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:10mA; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:25mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:-1.2V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:JFET; Anzahl der Pin

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    BFS17A
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    1081302

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:2.8GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:25mA; DC-Stromverstärkung hFE:90hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    BFR520
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    1081294

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:70mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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    BFR93A
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    1081300

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, 12V, 35MA, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:12V; Übergangsfrequenz ft:6GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:35mA; DC-Stromverstärkung hFE:90hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Bet

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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    HF-FET-Transistor, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    JFET, N-KANAL, 30V, SOT-23; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Dauer-Drainstrom Id:13mA; Verlustleistung Pd:250mW; Betriebsfrequenz, min.:-; Betriebsfrequenz, max.:-; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Produktpalette:-;

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    BFT93
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    1097184

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, PNP, 12 V, 5 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE

    HF-TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:12V; Übergangsfrequenz ft:5GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:-35mA; DC-Stromverstärkung hFE:50hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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    BFR31
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    1758134

    NXP

    JFET-Transistor, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    JFET, N-KANAL, 25V, 0.005A, SOT-23; Durchbruchspannung Vbr:-; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:1mA; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:5mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:-2.5V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:JFET; Anzahl der

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    BB201,215
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    1757785

    NXP

    Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins

    KAPAZITÄTSDIODE, 2FACH, 15V, SOT-23; Kapazität Cd max. bei Vr F:102pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):20mA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:15V; Betriebstemperatur, max.:125°C; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3 Pins; Verpackung:Gurtabschnitt; Pro

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    PMBFJ109,215
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    1758060

    NXP

    JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -2 V, SOT-23

    JET, N-KANAL, 25V, SOT-23; Durchbruchspannung Vbr:-25V; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.:-; Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.:40mA; Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.:-2V; Bauform:SOT-23; Transistortyp:-; Anzahl der Pins:3 Pins

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    BFS540
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    1349660

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-323; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:120mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

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    BAP64-03,115
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    1757790

    NXP

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pins, 0.35 pF

    PIN-DIODE, 175V, 0.1A, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.7ohm; Durchbruchspannung Vbr:175V; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.35pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Bet

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    BAP65-03,115
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    1757792

    NXP

    HF/pin-Diode, Einfach, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.375 pF

    PIN-DIODE, 30V, 0.1A, SOD-323; Diodenkonfiguration:Einfach; Widerstand bei If:0.35ohm; Durchbruchspannung Vbr:30V; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2 Pins; Gesamtkapazität Ct:0.375pF; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Verpackung:Gurtabschnitt; Bet

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    BFR106
    BFR106

    1081293

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:5GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:80hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempe

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    BFT92
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    1349662

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, PNP, 15 V, 5 GHz, 300 mW, -25 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, PNP, 5GHZ, SOT-23; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:5GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:-25mA; DC-Stromverstärkung hFE:50hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebste

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    BFS17
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    1081301

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:1GHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:25mA; DC-Stromverstärkung hFE:90hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemper

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    BFG425W,115
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    1758047

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 25 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 25GHZ, SOT-343R; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:4.5V; Übergangsfrequenz ft:25GHz; Verlustleistung Pd:135mW; DC-Kollektorstrom:25mA; DC-Stromverstärkung hFE:80hFE; Bauform:SOT-343R; Anzahl der Pins:3Pin(s)

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    BFT25A,215
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    1758051

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 5V, 5GHZ, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:5V; Übergangsfrequenz ft:5GHz; Verlustleistung Pd:32mW; DC-Kollektorstrom:6.5mA; DC-Stromverstärkung hFE:80hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebs

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    BCP54-10
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    8734828

    NXP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

    TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:180MHz; Verlustleistung Pd:640mW; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:63hFE; Bauform:SOT-223; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstempera

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    1349659

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-343; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:15V; Übergangsfrequenz ft:9GHz; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:120mA; DC-Stromverstärkung hFE:120hFE; Bauform:SOT-343; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betrieb

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    1758045

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 10V, 0.15A, SOT223; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:18V; Übergangsfrequenz ft:4GHz; Verlustleistung Pd:1W; DC-Kollektorstrom:150mA; DC-Stromverstärkung hFE:70hFE; Bauform:SOT-223; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrie

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    BF991
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    1349658

    NXP

    HF-FET-Transistor, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

    MOSFET, DUAL-GATE, N-KANAL, SOT143B; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Dauer-Drainstrom Id:20mA; Verlustleistung Pd:200mW; Betriebsfrequenz, min.:-; Betriebsfrequenz, max.:-; Bauform:SOT-143B; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Produkt

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    1212471

    NXP

    Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    HF-TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:9.5V; Übergangsfrequenz ft:900MHz; Verlustleistung Pd:2W; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:25hFE; Bauform:SOT-223; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstem

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    NXP

    Kleinsignaldiode, Einfach, 35 V, 100 mA, 1.2 V

    DIODE, BANDUMSCHALTUNG; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:35V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):100mA; Durchlassspannung Vf max.:1.2V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:-; Betriebstemperatur, ma

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