Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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MBR0540T1G
MBR0540T1G

9556923

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mV

SCHOTTKY-DIODE, 0.5A, 40V, SOD-123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):500mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-123; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:510mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max

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1N5339BG
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9557962

ON SEMICONDUCTOR

Zener-Diode, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

ZENER-DIODE, 5.6V, 5W, 017AA; Zener-Spannung Vz, typ.:5.6V; Verlustleistung Pd:5W; Bauform:017AA; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C; Verpackung:Stückweise; Produktpalette:1N53 Series; Qualifizierungsstandard der Autom

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BAS16LT3G
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2317451

ON SEMICONDUCTOR

Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

KLEINSIGNALDIODE, 75V, SOT-23-3; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:75V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):150mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:500mA; Betrie

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BC817-25LT3G
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2533301

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s)

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MBR0540T3G
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2101839

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV

SCHOTTKY-DIODE, 0.5A, 40V, SOD-123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):500mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-123; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:620mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max

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MBR130T1G
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1431045

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 450 mV

SCHOTTKY-DIODE, 1A, 30V, SOD-123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-123; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:450mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:5.5

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BC846BLT3G
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2533304

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 65V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:65V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:200hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s

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MURS120T3G
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9557458

ON SEMICONDUCTOR

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A

DIODE, ULTRAKURZE ERHOLZ., 1A, 200V, SMB; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:875mV; Sperrerholzeit Trr, max.:35ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:40A;

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MBRS140T3G
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9557237

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 600 mV

SCHOTTKY-DIODE, 1A, 40V, DO-214AA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:DO-214AA; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:600mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:4

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    MBR2H200SFT1G
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    2452032

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV

    LEISTUNGS-GR-DIODE, SOD123, 2A, 200V; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):2A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-123FL; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:940mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, m

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    MMBT3906LT3G
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    2630346

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE

    TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -40V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-40V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-200mA; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(

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    BAW56LT3G
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    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    SCHALTDIODE, 70V, 0.2A, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Anode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:70V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm,

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    MMBT4403LT3G
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    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-40V; Übergangsfrequenz ft:200MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-600mA; DC-Stromverstärkung hFE:20hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

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    MMBT4401LT3G
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    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:600mA; DC-Stromverstärkung hFE:20hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); B

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    BSS138LT3G
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    2101819

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:200mA; Drain-Source-Spannung Vds:50V; Betriebswiderstand, Rds(on):5.6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:2.75V; Schwellenspannung Vgs:500mV; Verlustleistung Pd:225mW; Bauform:SOT

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    BC856BM3T5G
    BC856BM3T5G

    2533313

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -65V, SOT-723-3; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-65V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:265mW; DC-Kollektorstrom:-100mA; DC-Stromverstärkung hFE:220hFE; Bauform:SOT-723; Anzahl der Pins:3P

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    MMBT2907ALT3G
    MMBT2907ALT3G

    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-60V; Übergangsfrequenz ft:200MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-600mA; DC-Stromverstärkung hFE:50hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

    21.880 Produkt vorrätig

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    1SMB5919BT3G
    1SMB5919BT3G

    1431162

    ON SEMICONDUCTOR

    Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 5.6V, 3W; Zener-Spannung Vz, typ.:5.6V; Verlustleistung Pd:3W; Bauform:DO-214AA; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:1SMB59xxBT3G Series; Qualifizierungsstandard de

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    2336857 in Reel

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    MMSZ3V0T1G
    MMSZ3V0T1G

    2535683

    ON SEMICONDUCTOR

    Zener-Diode, AEC-Q101, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 3V, SOD-123; Zener-Spannung Vz, typ.:3V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOD-123; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:MMSZxxxT1G Series; Qualifizierungsstandard d

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    1N5341BG
    1N5341BG

    9557989

    ON SEMICONDUCTOR

    Zener-Diode, 6.2 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    ZENER-DIODE, 6.2V, 5W; Zener-Spannung Vz, typ.:6.2V; Verlustleistung Pd:5W; Bauform:017AA; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C; Verpackung:Stückweise; Produktpalette:1N53 Series; Qualifizierungsstandard der Automobilind

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    MMBT2222ALT3G
    MMBT2222ALT3G

    2627984

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.225W, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:300MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:600mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); B

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    MMBT3416LT3G
    MMBT3416LT3G

    2727982

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 225 mW, 100 mA, 75 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0,1A, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:75hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebs

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    MJD44H11G
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    9557806

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:80V; Übergangsfrequenz ft:85MHz; Verlustleistung Pd:20W; DC-Kollektorstrom:8A; DC-Stromverstärkung hFE:60hFE; Bauform:TO-252; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, m

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    BAV99LT3G
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    2533389

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    SCHALTDIODE, 100V, 0.215A, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zwei in Reihe; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):215mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:500m

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    NSR0530HT1G
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    2508350

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 620 mV

    SCHOTTKY-GLEICHRICHTER 0.5A 30V SOD-323; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):500mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-323; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:620mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm

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