Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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  Hersteller-Teilenr. Bestellnummer Hersteller / Beschreibung
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Diodenkonfiguration Periodische Sperrspannung Vrrm, max. Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) Durchlassspannung Vf max. Sperrerholzeit Trr, max. Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. Betriebstemperatur, max. Bauform - Diode Anzahl der Pins Verpackung Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BAS16LT3G
BAS16LT3G

2317451

ON SEMICONDUCTOR

Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

Diodenkonfiguration Einfach
Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 75V
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 150mA

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ON SEMICONDUCTOR 

Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

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50.990 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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Diodenkonfiguration Einfach
Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 75V
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 150mA
Durchlassspannung Vf max. 1.25V
Sperrerholzeit Trr, max. 6ns
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 500mA
Betriebstemperatur, max. 150°C
Bauform - Diode SOT-23
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Verpackung Stückweise
Produktpalette BAS16 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

50.990

Stück

1+ 0,107 € Preiseinheit: 25+ 0,105 € Preiseinheit: 100+ 0,037 € Preiseinheit: 250+ 0,0355 € Preiseinheit: 500+ 0,0331 € Preiseinheit: 1000+ 0,0226 € Preiseinheit: 2000+ 0,017 € Preiseinheit: 4000+ 0,0148 € Preiseinheit: Mehr Weniger

Menge

50.990 Produkt vorrätig

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50.990 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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Stück

1+ 0,107 € 25+ 0,105 € 100+ 0,037 € Mehr…

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Einfach 75V 150mA 1.25V 6ns 500mA 150°C SOT-23 3Pin(s) Stückweise BAS16 Series -
BC817-25LT3G
BC817-25LT3G

2533301

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

Betriebstemperatur, max. 150°C
Anzahl der Pins 3Pin(s)

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ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

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38.974 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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Diodenkonfiguration -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
Durchlassspannung Vf max. -
Sperrerholzeit Trr, max. -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
Betriebstemperatur, max. 150°C
Bauform - Diode -
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Verpackung -
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

38.974

Stück (Gurtabschnitt)

1+ 0,119 € Preiseinheit: 10+ 0,105 € Preiseinheit: 100+ 0,037 € Preiseinheit: 250+ 0,0355 € Preiseinheit: 500+ 0,0331 € Preiseinheit: 1000+ 0,017 € Preiseinheit: Mehr Weniger

Menge

38.974 Produkt vorrätig

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38.974 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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Verpackungsoptionen
Empfohlener Ersatz für:2533301
2533301RL in Re-Reel

Stück (Gurtabschnitt)

1+ 0,119 € 10+ 0,105 € 100+ 0,037 € Mehr…

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- - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
BSS138LT3G
BSS138LT3G

2101819

ON SEMICONDUCTOR

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

Betriebstemperatur, max. 150°C
Anzahl der Pins 3Pin(s)

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

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37.464 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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Diodenkonfiguration -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
Durchlassspannung Vf max. -
Sperrerholzeit Trr, max. -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
Betriebstemperatur, max. 150°C
Bauform - Diode -
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Verpackung -
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

37.464

Stück

1+ 0,20 € Preiseinheit: 25+ 0,194 € Preiseinheit: 100+ 0,077 € Preiseinheit: 250+ 0,071 € Preiseinheit: 500+ 0,0473 € Preiseinheit: 2000+ 0,037 € Preiseinheit: 5000+ 0,0314 € Preiseinheit: 20000+ 0,028 € Preiseinheit: Mehr Weniger

Menge

37.464 Produkt vorrätig

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37.464 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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Stück

1+ 0,20 € 25+ 0,194 € 100+ 0,077 € Mehr…

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- - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
1N5339BG
1N5339BG

9557962

ON SEMICONDUCTOR

Zener-Diode, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

Betriebstemperatur, max. 200°C
Bauform - Diode 017AA
Anzahl der Pins 2Pin(s)

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ON SEMICONDUCTOR 

Zener-Diode, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

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36.356 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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Diodenkonfiguration -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
Durchlassspannung Vf max. -
Sperrerholzeit Trr, max. -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
Betriebstemperatur, max. 200°C
Bauform - Diode 017AA
Anzahl der Pins 2Pin(s)
Verpackung Stückweise
Produktpalette 1N53 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

36.356

Stück

1+ 0,377 € Preiseinheit: 25+ 0,358 € Preiseinheit: 100+ 0,183 € Preiseinheit: 500+ 0,181 € Preiseinheit: 1000+ 0,136 € Preiseinheit: 2000+ 0,117 € Preiseinheit: 4000+ 0,109 € Preiseinheit: 20000+ 0,0966 € Preiseinheit: Mehr Weniger

Menge

36.356 Produkt vorrätig

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36.356 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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Stück

1+ 0,377 € 25+ 0,358 € 100+ 0,183 € Mehr…

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- - - - - - 200°C 017AA 2Pin(s) Stückweise 1N53 Series -
NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G

1431323

ON SEMICONDUCTOR

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 60 V, 120 mohm, 5 V, 1.68 V

Betriebstemperatur, max. 175°C
Anzahl der Pins 4Pin(s)

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MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 60 V, 120 mohm, 5 V, 1.68 V

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34.173 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 9.000 versandfertig ab 09.08.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 12.03.18 Tage

    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    34.173

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,638 € Preiseinheit: 50+ 0,554 € Preiseinheit: 100+ 0,336 € Preiseinheit: 250+ 0,329 € Preiseinheit: 500+ 0,275 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    34.173 Produkt vorrätig

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    34.173 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 9.000 versandfertig ab 09.08.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 12.03.18 Tage

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    Empfohlener Ersatz für:1431323
    1431323RL in Re-Reel
    2317880 in Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,638 € 50+ 0,554 € 100+ 0,336 € Mehr…

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    - - - - - - 175°C - 4Pin(s) - - -
    BAV70LT3G
    BAV70LT3G

    2533388

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    Diodenkonfiguration Zweifach, gemeinsame Kathode
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 100V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    + Lageraufstockung

    32.831 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

    Diodenkonfiguration Zweifach, gemeinsame Kathode
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 100V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA
    Durchlassspannung Vf max. 1.25V
    Sperrerholzeit Trr, max. 6ns
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 500mA
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung Gurtabschnitt
    Produktpalette BAV70 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    32.831

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,0995 € Preiseinheit: 10+ 0,0891 € Preiseinheit: 100+ 0,0328 € Preiseinheit: 250+ 0,0317 € Preiseinheit: 500+ 0,0298 € Preiseinheit: 1000+ 0,0152 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    32.831 Produkt vorrätig

    + Lageraufstockung

    32.831 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Empfohlener Ersatz für:2533388
    2533388RL in Re-Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,0995 € 10+ 0,0891 € 100+ 0,0328 € Mehr…

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    Zweifach, gemeinsame Kathode 100V 200mA 1.25V 6ns 500mA 150°C SOT-23 3Pin(s) Gurtabschnitt BAV70 Series -
    BC846BLT3G
    BC846BLT3G

    2533304

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

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    29.706 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    29.706

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,119 € Preiseinheit: 10+ 0,101 € Preiseinheit: 100+ 0,0371 € Preiseinheit: 250+ 0,0356 € Preiseinheit: 500+ 0,0332 € Preiseinheit: 1000+ 0,017 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    29.706 Produkt vorrätig

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    29.706 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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    Empfohlener Ersatz für:2533304
    2533304RL in Re-Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,119 € 10+ 0,101 € 100+ 0,0371 € Mehr…

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
    BSS138LT1G
    BSS138LT1G

    1431319

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

    + Lageraufstockung

    142.264 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 9.000 versandfertig ab 31.07.2017
  • 12.000 versandfertig ab 15.08.2017
  • 9.000 versandfertig ab 04.09.2017
  • 27.000 versandfertig ab 19.09.2017
  • 30.000 versandfertig ab 07.07.2017
  • 33.000 versandfertig ab 25.09.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 26.03.18 Tage

    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    142.264

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,20 € Preiseinheit: 50+ 0,0791 € Preiseinheit: 250+ 0,0711 € Preiseinheit: 500+ 0,0473 € Preiseinheit: 1500+ 0,0394 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    142.264 Produkt vorrätig

    + Lageraufstockung

    142.264 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 9.000 versandfertig ab 31.07.2017
  • 12.000 versandfertig ab 15.08.2017
  • 9.000 versandfertig ab 04.09.2017
  • 27.000 versandfertig ab 19.09.2017
  • 30.000 versandfertig ab 07.07.2017
  • 33.000 versandfertig ab 25.09.2017
  • Nächste Lageraufstockung am 26.03.18 Tage

    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1431319
    1431319RL in Re-Reel
    2317879 in Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,20 € 50+ 0,0791 € 250+ 0,0711 € Mehr…

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
    MMBT4403LT3G
    MMBT4403LT3G

    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

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    25.598 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    25.598

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,108 € Preiseinheit: 10+ 0,0982 € Preiseinheit: 100+ 0,0337 € Preiseinheit: 250+ 0,0325 € Preiseinheit: 500+ 0,0305 € Preiseinheit: 1000+ 0,0161 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    25.598 Produkt vorrätig

    + Lageraufstockung

    25.598 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

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    Empfohlener Ersatz für:2533332
    2533332RL in Re-Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,108 € 10+ 0,0982 € 100+ 0,0337 € Mehr…

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - AEC-Q101
    BAW56LT3G
    BAW56LT3G

    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    Diodenkonfiguration Zweifach, gemeinsame Anode
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 70V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

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    24.329 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

    Diodenkonfiguration Zweifach, gemeinsame Anode
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 70V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA
    Durchlassspannung Vf max. 1.25V
    Sperrerholzeit Trr, max. 6ns
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 4A
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung Gurtabschnitt
    Produktpalette BAW56 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    24.329

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,108 € Preiseinheit: 10+ 0,096 € Preiseinheit: 100+ 0,0337 € Preiseinheit: 250+ 0,0325 € Preiseinheit: 500+ 0,0305 € Preiseinheit: 1000+ 0,0152 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

    24.329 Produkt vorrätig

    + Lageraufstockung

    24.329 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Nächste Lageraufstockung am 09.10.17 Tage

    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2535688
    2535688RL in Re-Reel

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,108 € 10+ 0,096 € 100+ 0,0337 € Mehr…

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    Zweifach, gemeinsame Anode 70V 200mA 1.25V 6ns 4A 150°C SOT-23 3Pin(s) Gurtabschnitt BAW56 Series AEC-Q101
    MMBT4401LT3G
    MMBT4401LT3G

    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
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    Bauform - Diode -
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    MBR0540T3G
    MBR0540T3G

    2101839

    ON SEMICONDUCTOR

    Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV

    Diodenkonfiguration Einfach
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 40V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 500mA

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV

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    Diodenkonfiguration Einfach
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 40V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 500mA
    Durchlassspannung Vf max. 620mV
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 5.5A
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode SOD-123
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Verpackung Gurtabschnitt
    Produktpalette MBR05 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    23.629

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    1+ 0,271 € Preiseinheit: 25+ 0,259 € Preiseinheit: 100+ 0,104 € Preiseinheit: 250+ 0,0979 € Preiseinheit: 500+ 0,0674 € Preiseinheit: 2000+ 0,0526 € Preiseinheit: 4000+ 0,0442 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    Einfach 40V 500mA 620mV - 5.5A 150°C SOD-123 2Pin(s) Gurtabschnitt MBR05 Series -
    MMBT2907ALT3G
    MMBT2907ALT3G

    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    20.294

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - AEC-Q101
    MMBT3416LT3G
    MMBT3416LT3G

    2727982

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 225 mW, 100 mA, 75 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 225 mW, 100 mA, 75 hFE Neu

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    20.000

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,10 € Preiseinheit: 10+ 0,0781 € Preiseinheit: 100+ 0,0339 € Preiseinheit: 250+ 0,0319 € Preiseinheit: 500+ 0,0286 € Preiseinheit: 1000+ 0,0184 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
    MUN2211T1G
    MUN2211T1G

    2464145

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis, SC-59

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    1N4004RL
    1N4004RL

    9556109

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A

    Diodenkonfiguration Einfach
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 400V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 1A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A

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    18.299 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 15.000 versandfertig ab 07.07.2017
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    Diodenkonfiguration Einfach
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 400V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 1A
    Durchlassspannung Vf max. 1.1V
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 30A
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Bauform - Diode DO-41 (DO-204AL)
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Verpackung Stückweise
    Produktpalette 1N4004 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    18.299

    Stück

    1+ 0,172 € Preiseinheit: 25+ 0,168 € Preiseinheit: 100+ 0,0591 € Preiseinheit: 1000+ 0,0364 € Preiseinheit: 3000+ 0,0277 € Preiseinheit: 7000+ 0,0247 € Preiseinheit: 20000+ 0,0198 € Preiseinheit: 70000+ 0,0194 € Preiseinheit: Mehr Weniger

    Menge

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  • 15.000 versandfertig ab 07.07.2017
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    Stück

    1+ 0,172 € 25+ 0,168 € 100+ 0,0591 € Mehr…

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    Einfach 400V 1A 1.1V - 30A 175°C DO-41 (DO-204AL) 2Pin(s) Stückweise 1N4004 Series -
    BC856BM3T5G
    BC856BM3T5G

    2533313

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

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    18.749 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    18.749

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,249 € Preiseinheit: 10+ 0,161 € Preiseinheit: 100+ 0,0647 € Preiseinheit: 250+ 0,0601 € Preiseinheit: 500+ 0,059 € Preiseinheit: 1000+ 0,032 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - -
    MMBT5401LT3G
    MMBT5401LT3G

    2533333

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE

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    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    18.006

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,218 € Preiseinheit: 10+ 0,198 € Preiseinheit: 100+ 0,0679 € Preiseinheit: 250+ 0,0627 € Preiseinheit: 500+ 0,061 € Preiseinheit: 1000+ 0,032 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    - - - - - - 150°C - 3Pin(s) - - AEC-Q101
    MUN2240T1G
    MUN2240T1G

    2724475

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 47 kohm, SC-59

    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 47 kohm, SC-59 Neu

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. -
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins -
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    18.000

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,154 € Preiseinheit: 10+ 0,115 € Preiseinheit: 100+ 0,0439 € Preiseinheit: 250+ 0,0412 € Preiseinheit: 500+ 0,0359 € Preiseinheit: 1000+ 0,0218 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    - - - - - - - - - - - AEC-Q101
    MMUN2131LT1G
    MMUN2131LT1G

    2727988

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 Verhältnis, SOT-23

    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 Verhältnis, SOT-23 Neu

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    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. -
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins -
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    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    17.980

    Stück (Gurtabschnitt)

    1+ 0,137 € Preiseinheit: 10+ 0,103 € Preiseinheit: 100+ 0,0393 € Preiseinheit: 250+ 0,0369 € Preiseinheit: 500+ 0,0321 € Preiseinheit: 1000+ 0,0195 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    - - - - - - - - - - - AEC-Q101
    BC858AWT1G
    BC858AWT1G

    2724351

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE Neu

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    17.966

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    1+ 0,103 € Preiseinheit: 10+ 0,0798 € Preiseinheit: 100+ 0,0347 € Preiseinheit: 250+ 0,0326 € Preiseinheit: 500+ 0,0292 € Preiseinheit: 1000+ 0,0188 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    MMBD7000LT3G
    MMBD7000LT3G

    2533391

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA

    Diodenkonfiguration Zwei in Reihe
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 100V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA

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    Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA

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    Diodenkonfiguration Zwei in Reihe
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. 100V
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) 200mA
    Durchlassspannung Vf max. 1.1V
    Sperrerholzeit Trr, max. 4ns
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. 500mA
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Verpackung Gurtabschnitt
    Produktpalette MMBD7000L Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    17.678

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    Zwei in Reihe 100V 200mA 1.1V 4ns 500mA 150°C SOT-23 3Pin(s) Gurtabschnitt MMBD7000L Series AEC-Q101
    MUN5333DW1T1G
    MUN5333DW1T1G

    2630310

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis, SOT-363

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    DTC143ZET1G
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    2533290

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis

    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Verhältnis

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. -
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins -
    Verpackung -
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    16.394

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    SBC857CLT1G
    SBC857CLT1G

    2630347

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 270 hFE

    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 270 hFE

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    Diodenkonfiguration -
    Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
    Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
    Durchlassspannung Vf max. -
    Sperrerholzeit Trr, max. -
    Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Bauform - Diode -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
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    8.270

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    2630347RL in Re-Reel

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    1+ 0,279 € 10+ 0,217 € 100+ 0,0942 € Mehr…

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