Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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1N5339BG
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9557962

ON SEMICONDUCTOR

Zener-Diode, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

ZENER-DIODE, 5.6V, 5W, 017AA; Zener-Spannung Vz, typ.:5.6V; Verlustleistung Pd:5W; Bauform:017AA; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C; Verpackung:Stückweise; Produktpalette:1N53 Series; Qualifizierungsstandard der Autom

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MBR0540T3G
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2101839

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV

SCHOTTKY-DIODE, 0.5A, 40V, SOD-123; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):500mA; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:SOD-123; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:620mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max

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BAS16LT3G
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2317451

ON SEMICONDUCTOR

Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

KLEINSIGNALDIODE, 75V, SOT-23-3; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:75V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):150mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:500mA; Betrie

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MBRS140T3G
MBRS140T3G

9557237

ON SEMICONDUCTOR

Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 600 mV

SCHOTTKY-DIODE, 1A, 40V, DO-214AA; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:DO-214AA; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:600mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:4

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BC817-25LT3G
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2533301

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s)

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MURS120T3G
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9557458

ON SEMICONDUCTOR

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A

DIODE, ULTRAKURZE ERHOLZ., 1A, 200V, SMB; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:875mV; Sperrerholzeit Trr, max.:35ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:40A;

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BAV70LT3G
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2533388

ON SEMICONDUCTOR

Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

SCHALTDIODE, 100V, 0.2A, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Kathode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom If

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BC846BLT3G
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2533304

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 65V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:65V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:200hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s

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BSS138LT3G
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2101819

ON SEMICONDUCTOR

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT-23; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:200mA; Drain-Source-Spannung Vds:50V; Betriebswiderstand, Rds(on):5.6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:2.75V; Schwellenspannung Vgs:500mV; Verlustleistung Pd:225mW; Bauform:SOT

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    MMBT3906LT3G
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    2630346

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE

    TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -40V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-40V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-200mA; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(

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    BAW56LT3G
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    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    SCHALTDIODE, 70V, 0.2A, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zweifach, gemeinsame Anode; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:70V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:1.25V; Sperrerholzeit Trr, max.:6ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm,

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    MMBT4403LT3G
    MMBT4403LT3G

    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-40V; Übergangsfrequenz ft:200MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-600mA; DC-Stromverstärkung hFE:20hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

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    MMBT4401LT3G
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    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:250MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:600mA; DC-Stromverstärkung hFE:20hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); B

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    MMBT2907ALT3G
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    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-60V; Übergangsfrequenz ft:200MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:-600mA; DC-Stromverstärkung hFE:50hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrieb

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    NTD5865NLT4G
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    1879962

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 40A, DPAK; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:40A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.013ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:52W; Bauform:TO-252

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    1N4004RL
    1N4004RL

    9556109

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 400V, DO-41; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:400V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betrieb

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    1SMB5929BT3G
    1SMB5929BT3G

    1459014

    ON SEMICONDUCTOR

    Zener-Diode, Universal, 15 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    ZENER-DIODE, 15V, 3W; Zener-Spannung Vz, typ.:15V; Verlustleistung Pd:3W; Bauform:DO-214AA; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:1SMB59xxBT3G Series; Qualifizierungsstandard der

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    1N4007G
    1N4007G

    1458987

    ON SEMICONDUCTOR

    Standard-Leistungsdiode, 1 kV, 1 A, Einfach, 570 mV, 30 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 1KV, DO-41; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:1kV; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:570mV; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betriebs

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    MMBT2222ALT3G
    MMBT2222ALT3G

    2627984

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.225W, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:300MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:600mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); B

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    MMUN2131LT1G
    MMUN2131LT1G

    2727988

     
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    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 Verhältnis, SOT-23

    TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, 50V, SOT-23; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:2.2kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:2.2kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:1Verhältnis; Bauform:SOT-23; Anzahl der

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    2727988RL in Re-Reel

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    BC858AWT1G
    BC858AWT1G

    2724351

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE

    TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -30V, SOT-323; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-30V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:150mW; DC-Kollektorstrom:-100mA; DC-Stromverstärkung hFE:125hFE; Bauform:SOT-323; Anzahl der Pins:3P

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    MMBD7000LT3G
    MMBD7000LT3G

    2533391

    ON SEMICONDUCTOR

    Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA

    SCHALTDIODE, 100V, 0.2A, SOT-23; Diodenkonfiguration:Zwei in Reihe; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Sperrerholzeit Trr, max.:4ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:500mA;

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    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -65V, SOT-723-3; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-65V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:265mW; DC-Kollektorstrom:-100mA; DC-Stromverstärkung hFE:220hFE; Bauform:SOT-723; Anzahl der Pins:3P

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:225mW; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s)

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    2724472

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 Verhältnis, SOT-23

    TRANSISTOR AEC-Q101 NPN 50V 0.1A SOT-23; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Dauer-Kollektorstrom Ic:100mA; Basis-Eingangswiderstand R1:2.2kohm; Basis-Emitter-Widerstand R2:47kohm; Widerstandsverhältnis R1/R2:0.047Verhältnis; Bauform:SOT-23; Anzahl

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