Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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9207120

MULTICOMP

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 1.2 W, 800 mA, 30 hFE

TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.8A, TO-18; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:300MHz; Verlustleistung Pd:1.2W; DC-Kollektorstrom:800mA; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:TO-18; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betrie

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1N4148WS.
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1466524

MULTICOMP

Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 350 mA

DIODE, HIGH-SPEED, 100V, 0.15A, SOD323; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):150mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Sperrerholzeit Trr, max.:4ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:350mA; B

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    1N4007
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    9565051

    MULTICOMP

    Standard-Leistungsdiode, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 A

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    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 1000V, DO-41; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:1kV; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:2.5V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betrieb

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    LL4148
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    7355513

    MULTICOMP

    Kleinsignaldiode, Schaltrelais, Einfach, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

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    KLEINSIGNALDIODE, 100V, 0.2A, SMD; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):150mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Sperrerholzeit Trr, max.:4ns; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:2A; Betriebst

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    2N2222
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    9206884

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.8A, TO-18; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:30V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:500mW; DC-Kollektorstrom:800mA; DC-Stromverstärkung hFE:100hFE; Bauform:TO-18; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebst

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    P600D
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    9564985

    MULTICOMP

    Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 400 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 6A, 200V; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:200V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):6A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:400A; Betriebstempera

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    P600G
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    9564950

    MULTICOMP

    Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1 V, 400 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 6A, 400V; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:400V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):6A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:400A; Betriebstempera

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    SS16.
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    2101190

    MULTICOMP

    Diode mit Standard-Erholzeit, 60 V, 1 A, Einfach, 750 mV, 30 A

    GLEICHRICHTERDIODE, 1A, 60V, DO-214AC; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:60V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:750mV; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betrieb

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    2N3904
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    1574370

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 300 hFE

    TRANSISTOR, NPN, TO-92; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:40V; Übergangsfrequenz ft:300MHz; Verlustleistung Pd:625mW; DC-Kollektorstrom:200mA; DC-Stromverstärkung hFE:300hFE; Bauform:TO-92; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstempera

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    BC847B
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    1574343

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 125 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, SOT-23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:100MHz; Verlustleistung Pd:250mW; DC-Kollektorstrom:100mA; DC-Stromverstärkung hFE:125hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Be

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    SS54
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    1861427

    MULTICOMP

    Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB, 2 Pin(s), 550 mV

    GLEICHR.DIODE, SCHOTTKY, 5A, 40V, SMC; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:40V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):5A; Diodenkonfiguration:Einfach; Bauform:DO-214AB; Anzahl der Pins:2Pin(s); Durchlassspannung Vf max.:550mV; Spitzendurchlassstrom Ifsm, ma

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    BD438
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    1574357

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFE

    TRANSISTOR, PNP, TO-126; Wandlerpolarität:PNP; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:-45V; Übergangsfrequenz ft:3MHz; Verlustleistung Pd:36W; DC-Kollektorstrom:4A; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:TO-126; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur,

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    P600M
    P600M

    9564942

    MULTICOMP

    Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 6 A, Einfach, 1 V, 400 A

    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 6A, 1000V; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:1kV; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):6A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:400A; Betriebstempera

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    2N1711
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    1611558

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE

    TRANSISTOR; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:50V; Übergangsfrequenz ft:70MHz; Verlustleistung Pd:3W; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:35hFE; Bauform:TO-39; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C;

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    2N3440
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    9207040

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 MHz, 5 W, 1 A, 40 hFE

    TRANSISTOR, NPN, TO-39; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:250V; Übergangsfrequenz ft:15MHz; Verlustleistung Pd:5W; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:40hFE; Bauform:TO-39; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur, ma

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    TIP150
    TIP150

    1440104

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 300 V, 80 W, 7 A, 150 hFE

    DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-220; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:300V; Übergangsfrequenz ft:-; Verlustleistung Pd:80W; DC-Kollektorstrom:7A; DC-Stromverstärkung hFE:150hFE; Bauform:TO-220; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperat

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    BAT42W
    BAT42W

    1621829

    MULTICOMP

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C

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    SCHOTTKY-DIODE, SOD-123; Diodenkonfiguration:Einfach; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:30V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):200mA; Durchlassspannung Vf max.:1V; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:4A; Betriebstemperatur, max.:125°C; Bauform:SOD-123; A

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    DB105S
    DB105S

    1861407

    MULTICOMP

    Brückengleichrichterdiode, 1, 600 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 Pin(s)

    BRÜCKEN-GR-DIODE, 600V, 1A, DBS; Anzahl der Phasen:1; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:600V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Bauform:SMD; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstemperatur, max.:150°C; Verpackung:Gurtab

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    1N747A
    1N747A

    1861480

    MULTICOMP

    Zener-Diode, Baureihe 1N7xxx, 3.6 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    ZENER-DIODE, 0.5W, 3.6V, DO-35; Zener-Spannung Vz, typ.:3.6V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:DO-204AH; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:1N7 Series; Qualifizierungsstandard

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    FL401
    FL401

    9380922

    MULTICOMP

    Brückengleichrichterdiode, 1, 100 V, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 Pin(s)

    BRÜCKEN-GR-DIODE, 4A, 100V; Anzahl der Phasen:1; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:100V; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):4A; Bauform:SIP; Durchlassspannung Vf max.:1.1V; Anzahl der Pins:4Pin(s); Betriebstemperatur, max.:125°C; Verpackung:Stückweise;

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    1N757A
    1N757A

    1861491

    MULTICOMP

    Zener-Diode, Baureihe 1N7xxx, 9.1 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    ZENER-DIODE, 0.5W, 9.1V, DO-35; Zener-Spannung Vz, typ.:9.1V; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:DO-204AH; Toleranz ±:5%; Anzahl der Pins:2Pin(s); Betriebstemperatur, max.:200°C; Verpackung:Gurtabschnitt; Produktpalette:1N7 Series; Qualifizierungsstandard

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    BC817-40
    BC817-40

    1798081

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 170 MHz, 300 mW, 500 mA, 250 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 45V, SOT23; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:45V; Übergangsfrequenz ft:170MHz; Verlustleistung Pd:300mW; DC-Kollektorstrom:500mA; DC-Stromverstärkung hFE:250hFE; Bauform:SOT-23; Anzahl der Pins:3Pin(s); Bet

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    BC141-16
    BC141-16

    9207678

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 50 MHz, 800 mW, 1 A, 30 hFE

    TRANSISTOR, NPN, TO-39; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:60V; Übergangsfrequenz ft:50MHz; Verlustleistung Pd:800mW; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:30hFE; Bauform:TO-39; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemperatur,

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    2N3439
    2N3439

    1862530

    MULTICOMP

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 160 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 1A, 350V, TO39; Wandlerpolarität:NPN; Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:350V; Übergangsfrequenz ft:15MHz; Verlustleistung Pd:1W; DC-Kollektorstrom:1A; DC-Stromverstärkung hFE:160hFE; Bauform:TO-39; Anzahl der Pins:3Pin(s); Betriebstemp

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    LL4007G
    LL4007G

    7355556

    MULTICOMP

    Standard-Leistungsdiode, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.4 V, 30 A

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    DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 1000V, SMD; Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:1kV; Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):1A; Diodenkonfiguration:Einfach; Durchlassspannung Vf max.:1.4V; Sperrerholzeit Trr, max.:-; Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:30A; Betriebst

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