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Wandlerpolarität Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo Übergangsfrequenz ft Verlustleistung Pd DC-Kollektorstrom DC-Stromverstärkung hFE Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
STP03D200
STP03D200

2629737

STMICROELECTRONICS

Bipolartransistor (BJT), Darlington, NPN, 1.2kV, 40W, 100mA, 200hFE

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
Verlustleistung Pd 40W

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STMICROELECTRONICS 

Bipolartransistor (BJT), Darlington, NPN, 1.2kV, 40W, 100mA, 200hFE

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Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
Übergangsfrequenz ft -
Verlustleistung Pd 40W
DC-Kollektorstrom 100mA
DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
Bauform - Transistor TO-220
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

542

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1+ 6,73 € Preiseinheit: 10+ 5,97 € Preiseinheit: 100+ 5,18 € Preiseinheit: 250+ 4,83 € Preiseinheit: 500+ 4,33 € Preiseinheit: 1000+ 3,96 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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NPN 1.2kV - 40W 100mA 200hFE TO-220 3Pin(s) 150°C - -
PMBT2907A,215
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1626500

NEXPERIA

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz

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NEXPERIA 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

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Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz
Verlustleistung Pd 250mW
DC-Kollektorstrom -600mA
DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
Bauform - Transistor TO-236AB
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

4.125

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10+ 0,533 € Preiseinheit: 50+ 0,0634 € Preiseinheit: 250+ 0,0579 € Preiseinheit: 500+ 0,0349 € Preiseinheit: 1500+ 0,0341 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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PNP -60V 200MHz 250mW -600mA 100hFE TO-236AB 3Pin(s) 150°C - -
PMBT3904MB
PMBT3904MB

2191797

NEXPERIA

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 mW, 200 mA, 30 hFE

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 40V
Verlustleistung Pd 250mW

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NEXPERIA 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 mW, 200 mA, 30 hFE

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 40V
Übergangsfrequenz ft -
Verlustleistung Pd 250mW
DC-Kollektorstrom 200mA
DC-Stromverstärkung hFE 30hFE
Bauform - Transistor SOT-883B
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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1+ 0,136 € Preiseinheit: 25+ 0,129 € Preiseinheit: 100+ 0,0815 € Preiseinheit: 250+ 0,0759 € Preiseinheit: 500+ 0,0655 € Preiseinheit: 10000+ 0,0573 € Preiseinheit: 20000+ 0,0498 € Preiseinheit: 40000+ 0,0451 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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NPN 40V - 250mW 200mA 30hFE SOT-883B 3Pin(s) 150°C - -
PMBT2907A,215
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2336798

NEXPERIA

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz

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NEXPERIA 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz
Verlustleistung Pd 250mW
DC-Kollektorstrom -600mA
DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
Bauform - Transistor TO-236AB
Anzahl der Pins 3Pin(s)
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Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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3000+ 0,0211 € Preiseinheit: 15000+ 0,0186 € Preiseinheit: 30000+ 0,0162 € Preiseinheit:

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PNP -60V 200MHz 250mW -600mA 100hFE TO-236AB 3Pin(s) 150°C - -
PMBT2907A,215
PMBT2907A,215

1626500RL

NEXPERIA

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

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Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz

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NEXPERIA 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

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Wandlerpolarität PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -60V
Übergangsfrequenz ft 200MHz
Verlustleistung Pd 250mW
DC-Kollektorstrom -600mA
DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
Bauform - Transistor TO-236AB
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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PNP -60V 200MHz 250mW -600mA 100hFE TO-236AB 3Pin(s) 150°C - -
ULN2003ANE4
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1210973

TEXAS INSTRUMENTS

Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Wandlerpolarität NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
DC-Kollektorstrom 500mA

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TEXAS INSTRUMENTS 

Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 1000hFE
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.954

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    1+ 0,638 € Preiseinheit: 10+ 0,518 € Preiseinheit: 25+ 0,493 € Preiseinheit: 50+ 0,465 € Preiseinheit: 100+ 0,30 € Preiseinheit: 300+ 0,292 € Preiseinheit: 600+ 0,24 € Preiseinheit: 2000+ 0,203 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    NPN 50V - - 500mA 1000hFE DIP 16Pin(s) 70°C - -
    SN75468N
    SN75468N

    1470511

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 100 V, 500 mA, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 100V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 100 V, 500 mA, DIP

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 100V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 70°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    916

    Stück

    1+ 0,971 € Preiseinheit: 10+ 0,795 € Preiseinheit: 100+ 0,558 € Preiseinheit: 250+ 0,526 € Preiseinheit: 500+ 0,493 € Preiseinheit: 900+ 0,344 € Preiseinheit: 3000+ 0,338 € Preiseinheit: 9000+ 0,331 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    1+ 0,971 € 10+ 0,795 € 100+ 0,558 € Mehr…

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    NPN 100V - - 500mA - DIP 16Pin(s) 70°C - -
    ULN2003AIDG4
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    1494948

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

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    73 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 105°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    73

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    1+ 0,594 € Preiseinheit: 10+ 0,484 € Preiseinheit: 100+ 0,264 € Preiseinheit: 250+ 0,234 € Preiseinheit: 500+ 0,23 € Preiseinheit: 800+ 0,17 € Preiseinheit: 3000+ 0,168 € Preiseinheit: 8000+ 0,147 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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    NPN 50V - - 500mA - SOIC 16Pin(s) 105°C - -
    SN75469N
    SN75469N

    1470509

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 100 V, 500 mA, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 100V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 100 V, 500 mA, DIP

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 100V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor DIP
    Anzahl der Pins 16Pin(s)
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    Produktpalette -
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    NPN 100V - - 500mA - DIP 16Pin(s) 70°C - -
    ULN2003AIDG4
    ULN2003AIDG4

    1494948RL

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    DC-Kollektorstrom 500mA

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    Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

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    73 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 50V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom 500mA
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    Bauform - Transistor SOIC
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    73

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    150+ 0,264 € Preiseinheit: 250+ 0,234 € Preiseinheit: 500+ 0,23 € Preiseinheit: 800+ 0,17 € Preiseinheit: 3000+ 0,168 € Preiseinheit: 8000+ 0,147 € Preiseinheit: Mehr Weniger

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