2014/07/28
 
 
  
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NXP

NXP PBHV8540X NPN-Hochspannungs-BISS-Transistor mit niedriger VCEsat

Dieser NPN-Hochspannungs-Breakthrough-In-Small-Signal (BISS)-Transistor mit niedriger VCEsat ist in einem SOT89 (SC-62)-Flat-Lead-Plastikgehäuse des mittleren Leistungsbereichs für die Oberflächenmontage (SMD) erhältlich.

  • Hohe Spannung
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
  • Hohe Kollektorspannungskapazität für IC und ICM
  • Hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC
  • Nach AEC-Q200 zugelassen
NXP PBHV8540X

Produktbeschreibung

NXP präsentiert einen NPN-Hochspannungs-Breakthrough-In-Small-Signal (BISS)-Transistor mit niedriger VCEsat.
Der Transistor ist in einem SOT89 (SC-62)-Flat-Lead-Plastikgehäuse des mittleren Leistungsbereichs für die Oberflächenmontage (SMD) erhältlich.
Als PNP-Ergänzung wird PBHV9040X angeboten.

Typische Anwendungen

LED-Treiber für LED-Kettenmodule, LCD-Hintergrundbeleuchtung, Motormanagement in der Automobilindustrie, Hakenschalter für die drahtgebundene Telekommunikation, Schaltnetzteile (SMPS).

Physische Eigenschaften

Plastikgehäuse zur Oberflächenmontage, Wärmepad für eine optimale Wärmeübertragung, drei Anschlüsse.

Elektrische Eigenschaften

Hohe Spannung, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat), hohe Kollektorspannungskapazität für IC und ICM, hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC.

 
 
   

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