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2677177

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 40 V, 0.00076 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 300A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:300A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00076ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:166W; Bauform - Trans

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2677178

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 235 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 235A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:235A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0011ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:128W; Bauform - Transi

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2677181

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 102 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 102A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:102A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0027ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:68W; Bauform - Transis

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2677176

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 378 A, 40 V, 0.00057 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 378A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:378A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00057ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:200W; Bauform - Transis

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2677182

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 250 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 250A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:250A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0011ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:2V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform - Transist

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2677179

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 185A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:185A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0014ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.5V; Verlustleistung Pd:106W; Bauform - Transi

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NTMFS5C442NT1G
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2677180

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 140 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET, N-KANAL, 40V, 140A, DFN; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:140A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0019ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4V; Verlustleistung Pd:83W; Bauform - Transisto

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