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FCB070N65S3
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2565205

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.062ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform:TO-2

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2565207

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-220F-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:46W; Bauform:TO-2

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FCP067N65S3
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2565216

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-220-3L; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform:TO-

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2610664

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform:TO-2

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