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FCH067N65S3-F155
FCH067N65S3-F155 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

2610664

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform - Tr

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FCP067N65S3
FCP067N65S3 - MOSFET-Transistor, SuperFET III, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

2565216

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, SuperFET III, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-220-3L; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform - T

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FCPF067N65S3
FCPF067N65S3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

2565207

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-220F-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.059ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:46W; Bauform - Tr

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FCB070N65S3
FCB070N65S3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V

2565205

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V

MOSFET, N-KANAL, 650V, 44A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:44A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.062ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:4.5V; Verlustleistung Pd:312W; Bauform - Tr

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